Справочник MOSFET. RHU002N06FRA

 

RHU002N06FRA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RHU002N06FRA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: UMT3

 Аналог (замена) для RHU002N06FRA

 

 

RHU002N06FRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1034K  rohm
 rhu002n06fra.pdf

RHU002N06FRA RHU002N06FRA

AEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOSFETRHU002N06FRAStructure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channelUMT3MOSFET transistor2.0 0.90.3 0.2 0.7(3)Features 1) Low on-resistance. (2) (1)2) High ESD. 0.65 0.653) High-speed switching. 0.151.34) Low-voltage drive (4V). (1) SourceEach lead has same dimensions5) Drive circuits can be simple. (2) GateAbb

 5.1. Size:60K  rohm
 rhu002n06.pdf

RHU002N06FRA RHU002N06FRA

RHU002N06 Transistors Switching (60V, 200mA) RHU002N06 External dimensions (Unit : mm) Features 1) Low on-resistance. 2) High ESD. 3) High-speed switching. 4) Low-voltage drive (4V). 1.255) Easily designed drive circuits. 2.16) Easy to use in parallel. 0.1Min.Each lead has same dimensions Structure Silicon N-channel Abbreviated symbol : KPMOSFET transisto

 9.1. Size:911K  rohm
 rhu003n03fra.pdf

RHU002N06FRA RHU002N06FRA

RHU003N03FRARHU003N03TransistorsAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOS FET RHU003N03FRARHU003N03 Structure External dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOS FET UMT32.0 0.90.3 0.2 0.7 Features (3)1) Low On-resistance. 2) 4V drive. (2) (1)0.65 0.650.151.3(1) SourceEach lead has same dimensions Applications(2) GateSwitching Abbreviated symbol : MN

 9.2. Size:48K  rohm
 rhu003n03.pdf

RHU002N06FRA RHU002N06FRA

RHU003N03 Transistors 4V Drive Nch MOS FET RHU003N03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET UMT3 2.0 0.90.3 0.2 0.7 Features (3)1) Low On-resistance. 2) 4V drive. (2) (1)0.65 0.650.151.3(1) SourceEach lead has same dimensions Applications(2) GateSwitching Abbreviated symbol : MN(3) Drain Packaging specifications Inn

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top