Справочник MOSFET. RHU002N06FRA

 

RHU002N06FRA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: RHU002N06FRA

Маркировка: KP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.2 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 2.2 nC

Время нарастания (tr): 5 ns

Выходная емкость (Cd): 8 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.4 Ohm

Тип корпуса: UMT3

Аналог (замена) для RHU002N06FRA

 

 

RHU002N06FRA Datasheet (PDF)

1.1. rhu002n06.pdf Size:60K _update_mosfet

RHU002N06FRA RHU002N06FRA

RHU002N06 Transistors Switching (60V, 200mA) RHU002N06 External dimensions (Unit : mm) Features 1) Low on-resistance. 2) High ESD. 3) High-speed switching. 4) Low-voltage drive (4V). 1.25 5) Easily designed drive circuits. 2.1 6) Easy to use in parallel. 0.1Min. Each lead has same dimensions Structure Silicon N-channel Abbreviated symbol : KP MOSFET transisto

1.2. rhu002n06fra.pdf Size:1034K _update_mosfet

RHU002N06FRA RHU002N06FRA

AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch MOSFET RHU002N06FRA Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel UMT3 MOSFET transistor 2.0 0.9 0.3 0.2 0.7 (3) Features 1) Low on-resistance. (2) (1) 2) High ESD. 0.65 0.65 3) High-speed switching. 0.15 1.3 4) Low-voltage drive (4V). (1) Source Each lead has same dimensions 5) Drive circuits can be simple. (2) Gate Abb

 5.1. rhu003n03.pdf Size:48K _update_mosfet

RHU002N06FRA RHU002N06FRA

RHU003N03 Transistors 4V Drive Nch MOS FET RHU003N03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET UMT3 2.0 0.9 0.3 0.2 0.7 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) 4V drive. (2) (1) 0.65 0.65 0.15 1.3 (1) Source Each lead has same dimensions Applications (2) Gate Switching Abbreviated symbol : MN (3) Drain Packaging specifications Inn

5.2. rhu003n03fra.pdf Size:911K _update_mosfet

RHU002N06FRA RHU002N06FRA

RHU003N03FRA RHU003N03 Transistors AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch MOS FET RHU003N03FRA RHU003N03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET UMT3 2.0 0.9 0.3 0.2 0.7 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) 4V drive. (2) (1) 0.65 0.65 0.15 1.3 (1) Source Each lead has same dimensions Applications (2) Gate Switching Abbreviated symbol : MN

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top