RHU003N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RHU003N03
Маркировка: MN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 6 ns
Выходная емкость (Cd): 13 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm
Тип корпуса: UMT3
RHU003N03 Datasheet (PDF)
1.1. rhu003n03.pdf 
Size:48K _update_mosfet
RHU003N03 Transistors 4V Drive Nch MOS FET RHU003N03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET UMT3 2.0 0.9 0.3 0.2 0.7 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) 4V drive. (2) (1) 0.65 0.65 0.15 1.3 (1) Source Each lead has same dimensions Applications (2) Gate Switching Abbreviated symbol : MN (3) Drain Packaging specifications Inn
1.2. rhu003n03fra.pdf Size:911K _update_mosfet
RHU003N03FRA RHU003N03 Transistors AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch MOS FET RHU003N03FRA RHU003N03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET UMT3 2.0 0.9 0.3 0.2 0.7 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) 4V drive. (2) (1) 0.65 0.65 0.15 1.3 (1) Source Each lead has same dimensions Applications (2) Gate Switching Abbreviated symbol : MN
5.1. rhu002n06.pdf Size:60K _update_mosfet
RHU002N06 Transistors Switching (60V, 200mA) RHU002N06 External dimensions (Unit : mm) Features 1) Low on-resistance. 2) High ESD. 3) High-speed switching. 4) Low-voltage drive (4V). 1.25 5) Easily designed drive circuits. 2.1 6) Easy to use in parallel. 0.1Min. Each lead has same dimensions Structure Silicon N-channel Abbreviated symbol : KP MOSFET transisto
5.2. rhu002n06fra.pdf Size:1034K _update_mosfet
AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch MOSFET RHU002N06FRA Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel UMT3 MOSFET transistor 2.0 0.9 0.3 0.2 0.7 (3) Features 1) Low on-resistance. (2) (1) 2) High ESD. 0.65 0.65 3) High-speed switching. 0.15 1.3 4) Low-voltage drive (4V). (1) Source Each lead has same dimensions 5) Drive circuits can be simple. (2) Gate Abb
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
