RHU003N03 - описание и поиск аналогов

 

RHU003N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RHU003N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: UMT3

Аналог (замена) для RHU003N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RHU003N03 даташит

 ..1. Size:48K  rohm
rhu003n03.pdfpdf_icon

RHU003N03

RHU003N03 Transistors 4V Drive Nch MOS FET RHU003N03 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET UMT3 2.0 0.9 0.3 0.2 0.7 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) 4V drive. (2) (1) 0.65 0.65 0.15 1.3 (1) Source Each lead has same dimensions Applications (2) Gate Switching Abbreviated symbol MN (3) Drain Packaging specifications Inn

 0.1. Size:911K  rohm
rhu003n03fra.pdfpdf_icon

RHU003N03

RHU003N03FRA RHU003N03 Transistors AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch MOS FET RHU003N03FRA RHU003N03 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET UMT3 2.0 0.9 0.3 0.2 0.7 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) 4V drive. (2) (1) 0.65 0.65 0.15 1.3 (1) Source Each lead has same dimensions Applications (2) Gate Switching Abbreviated symbol MN

 9.1. Size:60K  rohm
rhu002n06.pdfpdf_icon

RHU003N03

RHU002N06 Transistors Switching (60V, 200mA) RHU002N06 External dimensions (Unit mm) Features 1) Low on-resistance. 2) High ESD. 3) High-speed switching. 4) Low-voltage drive (4V). 1.25 5) Easily designed drive circuits. 2.1 6) Easy to use in parallel. 0.1Min. Each lead has same dimensions Structure Silicon N-channel Abbreviated symbol KP MOSFET transisto

 9.2. Size:1034K  rohm
rhu002n06fra.pdfpdf_icon

RHU003N03

AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch MOSFET RHU002N06FRA Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel UMT3 MOSFET transistor 2.0 0.9 0.3 0.2 0.7 (3) Features 1) Low on-resistance. (2) (1) 2) High ESD. 0.65 0.65 3) High-speed switching. 0.15 1.3 4) Low-voltage drive (4V). (1) Source Each lead has same dimensions 5) Drive circuits can be simple. (2) Gate Abb

Другие MOSFET... RHK003N06FRA , RHK003N06T146 , RHK005N03FRA , RHK005N03T146 , RHP020N06T100 , RHP030N03T100 , RHU002N06 , RHU002N06FRA , 10N65 , RHU003N03FRA , RJJ0601JPE , RJJ0601JPN , RJK005N03FRA , RJK005N03T146 , RJK0323JPD , RJK0329DPB-00 , RJK0329DPB-01 .

History: BUK9610-30 | BUK9620-55

 

 

 

 

↑ Back to Top
.