RJK0369DSP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RJK0369DSP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0156 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для RJK0369DSP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJK0369DSP даташит

 ..1. Size:86K  renesas
 rjk0369dsp.pdf pdf_icon

RJK0369DSP

RJK0369DSP Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching REJ03G1662-0201 Rev.2.01 Apr 24, 2008 Features Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 12.0 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Outline RENESAS Package code PRSP0008DD-D (Package name SOP-8) 5 6 7 8 D D D D 5 6 7 8 1,

 8.1. Size:125K  renesas
 rej03g1937 rjk0364dpa02ds.pdf pdf_icon

RJK0369DSP

Preliminary Datasheet RJK0364DPA-02 REJ03G1937-0110 Silicon N Channel Power MOS FET Rev.1.10 Power Switching May 21, 2010 Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 5.3 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code PWSN0008

 8.2. Size:125K  renesas
 rej03g1938 rjk0365dpa02ds.pdf pdf_icon

RJK0369DSP

Preliminary Datasheet RJK0365DPA-02 REJ03G1938-0110 Silicon N Channel Power MOS FET Rev.1.10 Power Switching May 21, 2010 Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 6.3 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code PWSN0008

 8.3. Size:125K  renesas
 rej03g1939 rjk0366dpa02ds.pdf pdf_icon

RJK0369DSP

Preliminary Datasheet RJK0366DPA-02 REJ03G1939-0110 Silicon N Channel Power MOS FET Rev.1.10 Power Switching May 21, 2010 Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 7.4 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code PWSN0008

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJJ0601JPN, RJK005N03FRA, RJK005N03T146, RJK0323JPD, RJK0329DPB-00, RJK0329DPB-01, RJK0331DPB-00, RJK0331DPB-01, 2N60, RJK0371DSP, RJK03M1DPA, RJK03M2DPA, RJK03M3DPA, RJK03M4DPA, RJK03M5DNS, RJK03M5DPA, RJK0406JPE