Справочник MOSFET. RJK03M5DPA

 

RJK03M5DPA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RJK03M5DPA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: WPAK
 

 Аналог (замена) для RJK03M5DPA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJK03M5DPA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:133K  renesas
rjk03m5dpa.pdfpdf_icon

RJK03M5DPA

Preliminary Datasheet RJK03M5DPA 30V, 30A, 6.5mmax. R07DS0770EJ0200N Channel Power MOS FET Rev.2.00High Speed Power Switching Feb 12 2013Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code: PWSN0008DE-A(Package name

 6.1. Size:125K  renesas
rjk03m5dns.pdfpdf_icon

RJK03M5DPA

Preliminary Datasheet RJK03M5DNS R07DS0769EJ0110Silicon N Channel Power MOS FET Rev.1.10Power Switching May 29, 2012Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 5.2 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code: PWSN0008JB-

 8.1. Size:181K  renesas
rjk03m3dpa.pdfpdf_icon

RJK03M5DPA

Preliminary Datasheet RJK03M3DPA 30V, 40A, 3.9mmax. R07DS0767EJ0200N Channel Power MOS FET Rev.2.00High Speed Power Switching Feb 12, 2013Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code: PWSN0008DE-A(Package nam

 8.2. Size:148K  renesas
rjk03m4dpa.pdfpdf_icon

RJK03M5DPA

Preliminary Datasheet RJK03M4DPA 30V, 35A, 4.6mmax. R07DS0768EJ0200N Channel Power MOS FET Rev.2.00High Speed Power Switching Feb 12, 2013Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code: PWSN0008DE-A(Package nam

Другие MOSFET... RJK0331DPB-01 , RJK0369DSP , RJK0371DSP , RJK03M1DPA , RJK03M2DPA , RJK03M3DPA , RJK03M4DPA , RJK03M5DNS , NCEP15T14 , RJK0406JPE , RJK0601DPN-E0 , RJK0602DPN-E0 , RJK0603DPN-E0 , RJK0628JPE , RJK0629JPE , RJK0630JPE , RJK0631JPD .

History: UFZ24NL-TA3 | 2SK2923 | CJU04N65

 

 
Back to Top

 


 
.