Справочник MOSFET. RJK0631JPR

 

RJK0631JPR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RJK0631JPR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FM
 

 Аналог (замена) для RJK0631JPR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJK0631JPR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  renesas
rjk0631jpr.pdfpdf_icon

RJK0631JPR

Preliminary Datasheet RJK0631JPR R07DS0879EJ030060 V - 30 A - N Channel Power MOS FET Rev.3.00Jul 24, 2013High Speed Power Switching Features For Automotive application AEC-Q101 compliant Low on-resistance : RDS(on) = 12 m typ. Capable of 4.5 V gate drive Low input capacitance: Ciss = 1350 pF typ Outline RENESAS Package code: PRSS0003AD-A(Pac

 5.1. Size:90K  renesas
rjk0631jpd.pdfpdf_icon

RJK0631JPR

Preliminary Datasheet RJK0631JPD R07DS0252EJ0300Silicon N Channel Power MOS FET Rev.3.00High Speed Power Switching Jul 24, 2013Features For Automotive application Low on-resistance : RDS(on) = 12 m typ. Capable of 4.5 V gate drive Low input capacitance: Ciss = 1350 pF typ AEC-Q101 compliant Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZD-C(Package n

 5.2. Size:153K  renesas
rjk0631jpe.pdfpdf_icon

RJK0631JPR

RJK0631JPE R07DS0341JJ0500NMOS FET Rev.5.00 2013.07.24 AEC-Q101 RDS(on) = 12 m typ. (4.5 V) Ciss = 1350 pF typ : PRSS0004AE-B( : LDPAK (S)-(

 8.1. Size:116K  renesas
rjk0632jpd.pdfpdf_icon

RJK0631JPR

Preliminary Datasheet RJK0632JPD R07DS0342EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00High Speed Power Switching May 11, 2011Features For Automotive application AEC-Q101 compliant Low on-resistance : RDS(on) = 29 m typ. Capable of 4.5 V gate drive Low input capacitance : Ciss = 440 pF typ. Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZD-C(Package name:

Другие MOSFET... RJK0601DPN-E0 , RJK0602DPN-E0 , RJK0603DPN-E0 , RJK0628JPE , RJK0629JPE , RJK0630JPE , RJK0631JPD , RJK0631JPE , 2SK3918 , RJK0632JPD , RJK0636JPD , RJK0703DPN-E0 , RJK0703DPP-E0 , RJK1001DPP-E0 , RJK1002DPP-E0 , RJK1003DPN-E0 , RJK1003DPP-E0 .

History: NCEP8818AS | 2SK2677

 

 
Back to Top

 


 
.