RJK0632JPD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RJK0632JPD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для RJK0632JPD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJK0632JPD даташит

 ..1. Size:116K  renesas
 rjk0632jpd.pdf pdf_icon

RJK0632JPD

Preliminary Datasheet RJK0632JPD R07DS0342EJ0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 High Speed Power Switching May 11, 2011 Features For Automotive application AEC-Q101 compliant Low on-resistance RDS(on) = 29 m typ. Capable of 4.5 V gate drive Low input capacitance Ciss = 440 pF typ. Outline RENESAS Package code PRSS0004ZD-C (Package name

 ..2. Size:806K  cn vbsemi
 rjk0632jpd.pdf pdf_icon

RJK0632JPD

RJK0632JPD www.VBsemi.tw N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) rDS(on) ( ) ID (A)a Available 175 C Junction Temperature 0.025 at VGS = 10 V 35 RoHS* 60 0.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANT TO-252 D G Drain Connected to Tab G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise

 8.1. Size:90K  renesas
 rjk0631jpd.pdf pdf_icon

RJK0632JPD

Preliminary Datasheet RJK0631JPD R07DS0252EJ0300 Silicon N Channel Power MOS FET Rev.3.00 High Speed Power Switching Jul 24, 2013 Features For Automotive application Low on-resistance RDS(on) = 12 m typ. Capable of 4.5 V gate drive Low input capacitance Ciss = 1350 pF typ AEC-Q101 compliant Outline RENESAS Package code PRSS0004ZD-C (Package n

 8.2. Size:90K  renesas
 rjk0631jpr.pdf pdf_icon

RJK0632JPD

Preliminary Datasheet RJK0631JPR R07DS0879EJ0300 60 V - 30 A - N Channel Power MOS FET Rev.3.00 Jul 24, 2013 High Speed Power Switching Features For Automotive application AEC-Q101 compliant Low on-resistance RDS(on) = 12 m typ. Capable of 4.5 V gate drive Low input capacitance Ciss = 1350 pF typ Outline RENESAS Package code PRSS0003AD-A (Pac

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJK0602DPN-E0, RJK0603DPN-E0, RJK0628JPE, RJK0629JPE, RJK0630JPE, RJK0631JPD, RJK0631JPE, RJK0631JPR, RU7088R, RJK0636JPD, RJK0703DPN-E0, RJK0703DPP-E0, RJK1001DPP-E0, RJK1002DPP-E0, RJK1003DPN-E0, RJK1003DPP-E0, RJK1008DPP-E0