RJK0636JPD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RJK0636JPD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для RJK0636JPD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJK0636JPD даташит

 ..1. Size:85K  renesas
 rjk0636jpd.pdf pdf_icon

RJK0636JPD

Preliminary Datasheet RJK0636JPD R07DS0365EJ0200 60 V - 25 A - N Channel Power MOS FET Rev.2.00 High Speed Power Switching Aug 29, 2012 Features For Automotive application AEC-Q101 compliant Low on-resistance RDS(on) = 18 m typ. Capable of 4.5 V gate drive Low input capacitance Ciss = 750 pF typ Outline RENESAS Package code PRSS0004ZD-C (Pa

 8.1. Size:90K  renesas
 rjk0631jpd.pdf pdf_icon

RJK0636JPD

Preliminary Datasheet RJK0631JPD R07DS0252EJ0300 Silicon N Channel Power MOS FET Rev.3.00 High Speed Power Switching Jul 24, 2013 Features For Automotive application Low on-resistance RDS(on) = 12 m typ. Capable of 4.5 V gate drive Low input capacitance Ciss = 1350 pF typ AEC-Q101 compliant Outline RENESAS Package code PRSS0004ZD-C (Package n

 8.2. Size:90K  renesas
 rjk0631jpr.pdf pdf_icon

RJK0636JPD

Preliminary Datasheet RJK0631JPR R07DS0879EJ0300 60 V - 30 A - N Channel Power MOS FET Rev.3.00 Jul 24, 2013 High Speed Power Switching Features For Automotive application AEC-Q101 compliant Low on-resistance RDS(on) = 12 m typ. Capable of 4.5 V gate drive Low input capacitance Ciss = 1350 pF typ Outline RENESAS Package code PRSS0003AD-A (Pac

 8.3. Size:153K  renesas
 rjk0631jpe.pdf pdf_icon

RJK0636JPD

RJK0631JPE R07DS0341JJ0500 N MOS FET Rev.5.00 2013.07.24 AEC-Q101 RDS(on) = 12 m typ. (4.5 V ) Ciss = 1350 pF typ PRSS0004AE-B ( LDPAK (S)-(

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJK0603DPN-E0, RJK0628JPE, RJK0629JPE, RJK0630JPE, RJK0631JPD, RJK0631JPE, RJK0631JPR, RJK0632JPD, MMIS60R580P, RJK0703DPN-E0, RJK0703DPP-E0, RJK1001DPP-E0, RJK1002DPP-E0, RJK1003DPN-E0, RJK1003DPP-E0, RJK1008DPP-E0, RJK1206JPD