RJK1008DPP-E0 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

RJK1008DPP-E0 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: RJK1008DPP-E0
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 100 ns
   Выходная емкость (Cd): 820 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP

Аналог (замена) для RJK1008DPP-E0

RJK1008DPP-E0 Datasheet (PDF)

..1. Size:82K renesas
rjk1008dpp-e0.pdf

Preliminary Datasheet RJK1008DPP-E0 R07DS0798EJ0100N-Channel Power MOSFET Rev.1.00Jun 08, 2012High-Speed Switching Use Features VDSS : 100 V RDS(on) : 11 m (Max) ID : 80 A Outline RENESAS Package code: PRSS0003AG-A(Package name: TO-220FP)2D1. Gate2. Drain1 G3. Source12 S33Application Motor control, Lighting control, Solenoid

4.1. Size:120K renesas
rej03g1708 rjk1008dppds.pdf

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

5.1. Size:120K renesas
rej03g1627 rjk1008dpnds.pdf