Справочник MOSFET. RJK4002DJE

 

RJK4002DJE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RJK4002DJE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RJK4002DJE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  renesas
rjk4002dje.pdfpdf_icon

RJK4002DJE

Preliminary Datasheet RJK4002DJE R07DS0842EJ0200400V - 3A - MOS FET Rev.2.00High Speed Power Switching Aug 03, 2012Features Low on-state resistance RDS(on) = 2.4 typ. (at ID = 1.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0003DC-A(Package name: TO-92 Mod)D1. SourceG2. Drain3. GateS321Absolute Max

 6.1. Size:94K  renesas
rjk4002dpd.pdfpdf_icon

RJK4002DJE

Preliminary Datasheet RJK4002DPD R07DS0835EJ0210400V - 3A - MOS FET Rev.2.10High Speed Power Switching Jan 29, 2014Features Low on-state resistance RDS(on) = 2.4 typ. (at ID = 1.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) Low drive current High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZG-AD(Package name : MP-3A)41. Gate2. DrainG3. Source1

 6.2. Size:78K  renesas
r07ds0551ej rjk4002dpp.pdfpdf_icon

RJK4002DJE

Preliminary Datasheet RJK4002DPP-M0 R07DS0551EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00High Speed Power Switching Oct 03, 2011Features Low on-state resistance RDS(on) = 2.4 typ. (at ID = 1.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0003AF-A(Package name: TO-220FL)D1. Gate2. DrainG3. Source123SAbso

 8.1. Size:79K  renesas
r07ds0228ej rjk4006dpp.pdfpdf_icon

RJK4002DJE

Preliminary Datasheet RJK4006DPP-M0 R07DS0228EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00High Speed Power Switching Dec 14, 2010Features Low on-resistance RDS(on) = 0.69 typ. (ID = 4 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) Low leakage current High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0003AF-A(Package name: TO-220FL)D1. Gate2. DrainG3. Source

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BF997 | AO6804A | FK8V06120L | F4F60VX2 | WMJ38N60C2 | SJMN380R65D | 2SK1773

 

 
Back to Top

 


 
.