Справочник MOSFET. RJK6032DPH-E0

 

RJK6032DPH-E0 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RJK6032DPH-E0
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-251

 Аналог (замена) для RJK6032DPH-E0

 

 

RJK6032DPH-E0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  renesas
 rjk6032dph-e0.pdf

RJK6032DPH-E0 RJK6032DPH-E0

Preliminary Datasheet RJK6032DPH-E0 R07DS0993EJ0100600V - 3A - MOS FET Rev.1.00High Speed Power Switching Jan 23, 2013Features Low on-resistance RDS(on) = 3.3 typ. (at ID = 1.0 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) Low drive current High density mounting Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZJ-B(Package name: TO-251) D41. Gate2. DrainG3. Source4.

 8.1. Size:81K  1
 rjk6035dpp-e0.pdf

RJK6032DPH-E0 RJK6032DPH-E0

Preliminary Datasheet RJK6035DPP-E0 R07DS0616EJ0100600V - 6A - MOS FET Rev.1.00High Speed Power Switching Feb 24, 2012Features Low on-resistance RDS(on) = 1.1 typ. (at ID = 3 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) Low leakage current High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0003AG-A(Package name: TO-220FP)D1. Gate2. DrainG3. Source1S

 8.2. Size:61K  renesas
 rjk6036dp3-a0.pdf

RJK6032DPH-E0 RJK6032DPH-E0

Preliminary DatasheetRJK6036DP3-A0 R07DS0841EJ0100600V - 2A - MOS FET Rev.1.00High Speed Power Switching Jul 05, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 5.7 typ. (at ID = 1 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) Low drive current High density mounting Outline RENESAS Package code: PRSP0004ZB-APackage name: SOT-223D41. Gate2. DrainG3 3. Source24.

 8.3. Size:76K  renesas
 r07ds0553ej rjk6034dpd.pdf

RJK6032DPH-E0 RJK6032DPH-E0

Preliminary Datasheet RJK6034DPD-E0 R07DS0553EJ0100600 V - 1 A - MOS FET Rev.1.00High Speed Power Switching Oct 13, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 9.8 typ. (at ID = 0.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) Low leakage current High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZJ-AD(Package name : TO-252)41. Gate2. DrainG3. Source

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top