RJK6032DPH-E0. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RJK6032DPH-E0

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.3 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для RJK6032DPH-E0

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJK6032DPH-E0 даташит

 ..1. Size:90K  renesas
 rjk6032dph-e0.pdf pdf_icon

RJK6032DPH-E0

Preliminary Datasheet RJK6032DPH-E0 R07DS0993EJ0100 600V - 3A - MOS FET Rev.1.00 High Speed Power Switching Jan 23, 2013 Features Low on-resistance RDS(on) = 3.3 typ. (at ID = 1.0 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) Low drive current High density mounting Outline RENESAS Package code PRSS0004ZJ-B (Package name TO-251) D 4 1. Gate 2. Drain G 3. Source 4.

 8.1. Size:81K  1
 rjk6035dpp-e0.pdf pdf_icon

RJK6032DPH-E0

Preliminary Datasheet RJK6035DPP-E0 R07DS0616EJ0100 600V - 6A - MOS FET Rev.1.00 High Speed Power Switching Feb 24, 2012 Features Low on-resistance RDS(on) = 1.1 typ. (at ID = 3 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) Low leakage current High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0003AG-A (Package name TO-220FP) D 1. Gate 2. Drain G 3. Source 1 S

 8.2. Size:61K  renesas
 rjk6036dp3-a0.pdf pdf_icon

RJK6032DPH-E0

Preliminary Datasheet RJK6036DP3-A0 R07DS0841EJ0100 600V - 2A - MOS FET Rev.1.00 High Speed Power Switching Jul 05, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 5.7 typ. (at ID = 1 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) Low drive current High density mounting Outline RENESAS Package code PRSP0004ZB-A Package name SOT-223 D 4 1. Gate 2. Drain G 3 3. Source 2 4.

 8.3. Size:76K  renesas
 r07ds0553ej rjk6034dpd.pdf pdf_icon

RJK6032DPH-E0

Preliminary Datasheet RJK6034DPD-E0 R07DS0553EJ0100 600 V - 1 A - MOS FET Rev.1.00 High Speed Power Switching Oct 13, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 9.8 typ. (at ID = 0.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) Low leakage current High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0004ZJ-A D (Package name TO-252) 4 1. Gate 2. Drain G 3. Source

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJK5014DPP-E0, RJK5032DPD, RJK5032DPH-E0, RJK6002DJE, RJK6002DPH-E0, RJK6013DPP-E0, RJK6024DP3-A0, RJK6025DPH-E0, IRF4905, RJK6036DP3-A0, RJL5012DPP, RJL5013DPP, RJL5014DPP, RJL6012DPP, RJL6013DPP, RJL6014DPP, RJM0404JSC