Справочник MOSFET. RJU002N06T106

 

RJU002N06T106 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RJU002N06T106
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
   Тип корпуса: UMT3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RJU002N06T106 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:41K  rohm
 rju002n06t106.pdf pdf_icon

RJU002N06T106

RJU002N06 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RJU002N06 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET UMT3 2.0 0.90.3 0.2 0.7 Features (3)1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (2) (1)0.65 0.650.151.3(1) SourceEach lead has same dimensions Applications(2) GateSwitching Abbreviated symbol : ML(3) Drain Packa

 5.1. Size:1020K  rohm
 rju002n06fra.pdf pdf_icon

RJU002N06T106

AEC-Q101 Qualified2.5V Drive Nch MOSFET RJU002N06 RJU002N06FRA Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOS FET UMT32.0 0.90.3 0.2 0.7 Features (3)1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (2) (1)0.65 0.650.151.3(1) SourceEach lead has same dimensions Applications(2) GateAbbreviated symbol : MLSwitching (3) Drain Packaging s

 5.2. Size:145K  rohm
 rju002n06.pdf pdf_icon

RJU002N06T106

2.5V Drive Nch MOSFET RJU002N06 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET UMT32.0 0.90.3 0.2 0.7 Features (3)1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (2) (1)0.65 0.650.151.3(1) SourceEach lead has same dimensions Applications(2) GateAbbreviated symbol : MLSwitching (3) Drain Packaging specifications Inner circuit (3

 9.1. Size:216K  rohm
 rju003n03t106.pdf pdf_icon

RJU002N06T106

2.5V Drive Nch MOSFET RJU003N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET UMT32.0 0.90.3 0.2 0.7 Features (3)1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (2) (1)0.65 0.650.151.3(1) SourceEach lead has same dimensions Applications(2) GateAbbreviated symbol : LPSwitching (3) Drain Packaging specifications and hFE Inner circu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FDR4420A | IRF3717PBF | LPM3401 | FQI15P12TU | WMB115N15HG4 | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.