RK7002AT116. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RK7002AT116

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для RK7002AT116

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RK7002AT116 даташит

 ..1. Size:80K  rohm
rk7002at116.pdfpdf_icon

RK7002AT116

RK7002A Transistors Switching (60V, 300mA) RK7002A Features External dimensions (Units mm) 1) Low on-resistance. 2) High ESD 3) High-speed switching. 4) Low-voltage drive (4V). 5) Easily designed drive circuits. 1.3 6) Easy to use in parallel. 2.4 Structure Each lead has same dimensions Silicon N-channel MOSFET transistor ROHM SST3 (1) Source Abbreviated symbol RKS (2

 8.1. Size:212K  rohm
rk7002bt116.pdfpdf_icon

RK7002AT116

2.5V Drive Nch MOSFET RK7002B Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET SST3 Features 1) High speed switing. 2) Small package(SST3). 3) Low voltage drive(2.5V drive). Abbreviated symbol RKT Application Switching Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type Code T116 Basic ordering unit (pieces) 3000 RK7002B

 8.2. Size:233K  rohm
rk7002b.pdfpdf_icon

RK7002AT116

2.5V Drive Nch MOSFET RK7002B Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET SST3 Features 1) High speed switing. 2) Small package(SST3). 3) Low voltage drive(2.5V drive). Abbreviated symbol RKT Application Switching Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type Code T116 Basic ordering unit (pieces) 3000 RK7002B

 8.3. Size:1623K  rohm
rk7002bmhzg.pdfpdf_icon

RK7002AT116

RK7002BMHZG Datasheet Nch 60V 250mA Small Signal MOSFET AEC-Q101 Qualified lOutline l SOT-23 VDSS 60V SST3 RDS(on)(Max.) 2.4 ID 250mA PD 350mW lInner circuit l lFeatures l 1) Very fast switching 2) Ultra low voltage drive (2.5V drive) 3) ESD protection up to 2kV (HBM) 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 5)

Другие IGBT... RJM0404JSC, RJM0603JSC, RJP020N06T100, RJU002N06FRA, RJU002N06T106, RJU003N03FRA, RJU003N03T106, RK3055ETL, IRF530, RK7002BM, RK7002BT116, RK7002T116, RND030N20, RP1A090ZPTR, RP1E050RPTR, RP1E090RPTR, RP1E100RPTR