Справочник MOSFET. RQ1E050RPTR

 

RQ1E050RPTR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RQ1E050RPTR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm
   Тип корпуса: TSMT8
 

 Аналог (замена) для RQ1E050RPTR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ1E050RPTR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:577K  rohm
rq1e050rptr.pdfpdf_icon

RQ1E050RPTR

RQ1E050RP Pch -30V -5A Power MOSFET DatasheetlOutline(8) VDSS-30V (7) TSMT8(6) (5) RDS(on) (Max.)31mW(1) ID-5A(2) (3) PD1.5W(4) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) Built-in G-S Protection Diode.(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT8).(4) Gate (8) Drain 4) Pb-free lea

 5.1. Size:388K  rohm
rq1e050rp.pdfpdf_icon

RQ1E050RPTR

4V Drive Pch MOSFET RQ1E050RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTSMT8(8) (7) (6) (5)Features1) Low On-resistance.(1) (2) (3) (4)2) High power package.3) 4V drive.Abbreviated symbol :UD ApplicationSwitching Inner circuit(8) (7) (6) (5) Packaging specificationsPackage Taping2TypeCode TR(1) Source(2) SourceBa

 9.1. Size:344K  rohm
rq1e070rp.pdfpdf_icon

RQ1E050RPTR

4V Drive Pch MOSFET RQ1E070RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTSMT8(8) (7) (6) (5)Features1) Low On-resistance.2) High power package.(1) (2) (3) (4)3) 4V drive.Abbreviated symbol :UE ApplicationSwitching Inner circuit Packaging specifications(8) (7) (6) (5)Package TapingTypeCode TRBasic ordering unit (pieces) 300

 9.2. Size:1239K  rohm
rq1e075xn.pdfpdf_icon

RQ1E050RPTR

Data Sheet4V Drive Nch MOSFETRQ1E075XN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET TSMT8(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (TSMT8).Abbreviated symbol : XR ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(8) (7) (6) (5)Package Taping

Другие MOSFET... RK7002T116 , RND030N20 , RP1A090ZPTR , RP1E050RPTR , RP1E090RPTR , RP1E100RPTR , RQ1A060ZPTR , RQ1A070ZPTR , P0903BDG , RQ3E070BN , RQ3E080BN , RQ3E080GN , RQ3E100BN , RQ3E100GN , RQ3E100MN , RQ3E120AT , RQ3E120BN .

History: 2SK1476 | LSG50R160HT | FMR23N50ES | SIHFBF30S | LSGD04R035 | BL7N70-P | IXFT13N100

 

 
Back to Top

 


 
.