Справочник MOSFET. RQ1E050RPTR

 

RQ1E050RPTR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RQ1E050RPTR
   Маркировка: UD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 0.013 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm
   Тип корпуса: TSMT8

 Аналог (замена) для RQ1E050RPTR

 

 

RQ1E050RPTR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:577K  rohm
 rq1e050rptr.pdf

RQ1E050RPTR RQ1E050RPTR

RQ1E050RP Pch -30V -5A Power MOSFET DatasheetlOutline(8) VDSS-30V (7) TSMT8(6) (5) RDS(on) (Max.)31mW(1) ID-5A(2) (3) PD1.5W(4) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) Built-in G-S Protection Diode.(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT8).(4) Gate (8) Drain 4) Pb-free lea

 5.1. Size:388K  rohm
 rq1e050rp.pdf

RQ1E050RPTR RQ1E050RPTR

4V Drive Pch MOSFET RQ1E050RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTSMT8(8) (7) (6) (5)Features1) Low On-resistance.(1) (2) (3) (4)2) High power package.3) 4V drive.Abbreviated symbol :UD ApplicationSwitching Inner circuit(8) (7) (6) (5) Packaging specificationsPackage Taping2TypeCode TR(1) Source(2) SourceBa

 9.1. Size:344K  rohm
 rq1e070rp.pdf

RQ1E050RPTR RQ1E050RPTR

4V Drive Pch MOSFET RQ1E070RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTSMT8(8) (7) (6) (5)Features1) Low On-resistance.2) High power package.(1) (2) (3) (4)3) 4V drive.Abbreviated symbol :UE ApplicationSwitching Inner circuit Packaging specifications(8) (7) (6) (5)Package TapingTypeCode TRBasic ordering unit (pieces) 300

 9.2. Size:1239K  rohm
 rq1e075xn.pdf

RQ1E050RPTR RQ1E050RPTR

Data Sheet4V Drive Nch MOSFETRQ1E075XN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET TSMT8(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (TSMT8).Abbreviated symbol : XR ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(8) (7) (6) (5)Package Taping

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top