Справочник MOSFET. RQ3E120AT

 

RQ3E120AT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: RQ3E120AT

Маркировка: E120AT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 62 nC

Время нарастания (tr): 30 ns

Выходная емкость (Cd): 550 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ohm

Тип корпуса: HSMT8

Аналог (замена) для RQ3E120AT

 

 

RQ3E120AT Datasheet (PDF)

1.1. rq3e120at.pdf Size:2504K _update_mosfet

RQ3E120AT
RQ3E120AT

RQ3E120AT Datasheet   Pch -30V -12A Middle Power MOSFET    lOutline l             HSMT8 VDSS -30V   RDS(on)(Max.) 8.0mΩ     ID ±12A     PD 2W                         lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power small mold Package (HSMT8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen F

1.2. rq3e120at.pdf Size:2504K _rohm

RQ3E120AT
RQ3E120AT

RQ3E120AT Datasheet   Pch -30V -12A Middle Power MOSFET    lOutline l             HSMT8 VDSS -30V   RDS(on)(Max.) 8.0mΩ     ID ±12A     PD 2W                         lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power small mold Package (HSMT8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen F

 3.1. rq3e120bn.pdf Size:2664K _update_mosfet

RQ3E120AT
RQ3E120AT

RQ3E120BN Datasheet   Nch 30V 12A Middle Power MOSFET    lOutline l             HSMT8 VDSS 30V   RDS(on)(Max.) 9.3mΩ     ID ±12A     PD 2W                         lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power Package (HSMT8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPackagi

3.2. rq3e120gn.pdf Size:474K _update_mosfet

RQ3E120AT
RQ3E120AT

RQ3E120GN Nch 30V 12A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 30V HSMT8 RDS(on) at 10V (Max.) 8.8mW RDS(on) at 4.5V (Max.) 11.8mW ID 12A PD 2.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSMT8). (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant (4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free *1 BODY

 3.3. rq3e120bn.pdf Size:2664K _rohm

RQ3E120AT
RQ3E120AT

RQ3E120BN Datasheet   Nch 30V 12A Middle Power MOSFET    lOutline l             HSMT8 VDSS 30V   RDS(on)(Max.) 9.3mΩ     ID ±12A     PD 2W                         lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power Package (HSMT8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPackagi

3.4. rq3e120gn.pdf Size:474K _rohm

RQ3E120AT
RQ3E120AT

RQ3E120GN Nch 30V 12A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 30V HSMT8 RDS(on) at 10V (Max.) 8.8mW RDS(on) at 4.5V (Max.) 11.8mW ID 12A PD 2.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSMT8). (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant (4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free *1 BODY

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top