RQ3E180GN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RQ3E180GN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm

Тип корпуса: HSMT8

Аналог (замена) для RQ3E180GN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ3E180GN даташит

 ..1. Size:474K  rohm
rq3e180gn.pdfpdf_icon

RQ3E180GN

RQ3E180GN Nch 30V 18A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 30V HSMT8 RDS(on) at 10V (Max.) 4.3mW RDS(on) at 4.5V (Max.) 5.5mW ID 18A PD 2.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSMT8). (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant (4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free *1 BODY D

 7.1. Size:2698K  rohm
rq3e180aj.pdfpdf_icon

RQ3E180GN

RQ3E180AJ Datasheet Nch 30V 18A Middle Power MOSFET lOutline l HSMT8 VDSS 30V RDS(on)(Max.) 4.5m ID 18A PD 2W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package. 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l

 9.1. Size:2687K  rohm
rq3e150bn.pdfpdf_icon

RQ3E180GN

RQ3E150BN Datasheet Nch 30V 15A Middle Power MOSFET lOutline l HSMT8 VDSS 30V RDS(on)(Max.) 5.3m ID 15A PD 2W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power Package (HSMT8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPackagi

 9.2. Size:473K  rohm
rq3e100gn.pdfpdf_icon

RQ3E180GN

RQ3E100GN Nch 30V 10A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 30V HSMT8 RDS(on) at 10V (Max.) 11.7mW RDS(on) at 4.5V (Max.) 15.7mW ID 10A PD 2.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSMT8). (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant (4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free *1 BODY

Другие IGBT... RQ3E120GN, RQ3E130BN, RQ3E130MN, RQ3E150BN, RQ3E150GN, RQ3E150MN, RQ3E160AD, RQ3E180AJ, AO3400A, RQ3G100GN, RQ3L050GN, RQ5A030AP, RQ5E025AT, RQ5E030AJ, RQ5E035AT, RQ5E035BN, RQ5E040AJ