Справочник MOSFET. RQ3E180GN

 

RQ3E180GN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RQ3E180GN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm
   Тип корпуса: HSMT8
 

 Аналог (замена) для RQ3E180GN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ3E180GN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:474K  rohm
 rq3e180gn.pdf pdf_icon

RQ3E180GN

RQ3E180GN Nch 30V 18A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS30VHSMT8RDS(on) at 10V (Max.)4.3mWRDS(on) at 4.5V (Max.)5.5mWID18APD2.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSMT8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant(4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free*1 BODY D

 7.1. Size:2698K  rohm
 rq3e180aj.pdf pdf_icon

RQ3E180GN

RQ3E180AJDatasheetNch 30V 18A Middle Power MOSFETlOutlinel HSMT8VDSS 30VRDS(on)(Max.) 4.5m ID 18A PD 2W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package.3) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specificationsl

 9.1. Size:2687K  rohm
 rq3e150bn.pdf pdf_icon

RQ3E180GN

RQ3E150BNDatasheetNch 30V 15A Middle Power MOSFETlOutlinel HSMT8VDSS30VRDS(on)(Max.) 5.3m ID 15A PD2W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power Package (HSMT8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackagi

 9.2. Size:473K  rohm
 rq3e100gn.pdf pdf_icon

RQ3E180GN

RQ3E100GN Nch 30V 10A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS30VHSMT8RDS(on) at 10V (Max.)11.7mWRDS(on) at 4.5V (Max.)15.7mWID10APD2.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSMT8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant(4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free*1 BODY

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RQ3E120GN , RQ3E130BN , RQ3E130MN , RQ3E150BN , RQ3E150GN , RQ3E150MN , RQ3E160AD , RQ3E180AJ , RU6888R , RQ3G100GN , RQ3L050GN , RQ5A030AP , RQ5E025AT , RQ5E030AJ , RQ5E035AT , RQ5E035BN , RQ5E040AJ .

History: IRFSL3806 | JCS5AN50V | AP99LT06GI-HF | AM2359PE | LSB60R030HT | HGI200N10SL | BUK9507-30B

 

 
Back to Top

 


 
.