RQ6P015SP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RQ6P015SP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.47 Ohm

Тип корпуса: TSMT6

Аналог (замена) для RQ6P015SP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ6P015SP даташит

 ..1. Size:796K  rohm
 rq6p015sp.pdf pdf_icon

RQ6P015SP

RQ6P015SP Pch -100V -1.5A Power MOSFET Data Sheet lOutline (6) VDSS -100V TSMT6 (5) (4) RDS(on) (Max.) 470mW ID (1) -1.5A (2) PD 1.25W (3) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Drain (2) Drain 2) Built-in G-S Protection Diode. (3) Gate (4) Source 3) Small Surface Mount Package (TSMT6). (5) Drain (6) Drain 4) Pb-free lead plating ; RoHS compl

Другие IGBT... RQ5H020SP, RQ5L015SP, RQ6C050UN, RQ6E030AT, RQ6E035AT, RQ6E045BN, RQ6E050AT, RQ6E055BN, AO4407A, RQ7E055AT, RRQ020P03, RRS110N03TB1, RS1E130GN, RS1E150GN, RS1E170GN, RS1E200AH, RS1E200BN