Справочник MOSFET. RQ6P015SP

 

RQ6P015SP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RQ6P015SP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.47 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6
 

 Аналог (замена) для RQ6P015SP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ6P015SP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:796K  rohm
 rq6p015sp.pdf pdf_icon

RQ6P015SP

RQ6P015SP Pch -100V -1.5A Power MOSFET Data SheetlOutline(6) VDSS-100VTSMT6 (5) (4) RDS(on) (Max.)470mWID (1) -1.5A(2) PD1.25W(3) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Drain (2) Drain 2) Built-in G-S Protection Diode.(3) Gate (4) Source 3) Small Surface Mount Package (TSMT6).(5) Drain (6) Drain 4) Pb-free lead plating ; RoHS compl

Другие MOSFET... RQ5H020SP , RQ5L015SP , RQ6C050UN , RQ6E030AT , RQ6E035AT , RQ6E045BN , RQ6E050AT , RQ6E055BN , AO3407 , RQ7E055AT , RRQ020P03 , RRS110N03TB1 , RS1E130GN , RS1E150GN , RS1E170GN , RS1E200AH , RS1E200BN .

History: TPCA8011-H | HSU16N25 | APT8090AN | BUK7J1R0-40H | 2SK1579 | APT50M85B2VR | CEM6426

 

 
Back to Top

 


 
.