RSD046P05FRA - аналоги и даташиты транзистора

 

RSD046P05FRA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RSD046P05FRA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.155 Ohm
   Тип корпуса: SC-63
 

 Аналог (замена) для RSD046P05FRA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD046P05FRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:454K  rohm
 rsd046p05fra.pdf pdf_icon

RSD046P05FRA

RSD046P05FRA Pch 45V 4.5A Power MOSFET DatasheetAEC-Q101 QualifiedlOutlineVDSS-45VCPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)155mWID-4.5A(2) (1) (3) PD15WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain 3) Drive circuits can be simple.(3) Source 4) Parallel use is easy.*1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5)

 5.1. Size:385K  rohm
 rsd046p05.pdf pdf_icon

RSD046P05FRA

RSD046P05 Pch 45V 4.5A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS-45VCPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)155mWID-4.5A(2) (1) (3) PD15WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain 3) Drive circuits can be simple.(3) Source 4) Parallel use is easy.*1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ;

Другие MOSFET... RS1E350BN , RS1G120MN , RS1G150MN , RS1G180MN , RS1G260MN , RS1G300GN , RS3E075AT , RSD046P05 , 7N65 , RSD050N06FRA , RSD050N06TL , RSD050N10FRA , RSD080N06FRA , RSD080P05FRA , RSD100N10FRA , RSD131P10 , RSD131P10FRA .

History: BRCS120P03ZC | 1N65G-TN3-R | 1N65G-T60-K | 1N65L-TMA-T | PMPB48EP

 

 
Back to Top

 


 
.