RSD046P05FRA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSD046P05FRA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.155 Ohm

Тип корпуса: SC-63

Аналог (замена) для RSD046P05FRA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD046P05FRA даташит

 ..1. Size:454K  rohm
 rsd046p05fra.pdf pdf_icon

RSD046P05FRA

RSD046P05FRA Pch 45V 4.5A Power MOSFET Datasheet AEC-Q101 Qualified lOutline VDSS -45V CPT3 (SC-63) RDS(on) (Max.) 155mW ID -4.5A (2) (1) (3) PD 15W lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain 3) Drive circuits can be simple. (3) Source 4) Parallel use is easy. *1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5)

 5.1. Size:385K  rohm
 rsd046p05.pdf pdf_icon

RSD046P05FRA

RSD046P05 Pch 45V 4.5A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS -45V CPT3 (SC-63) RDS(on) (Max.) 155mW ID -4.5A (2) (1) (3) PD 15W lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain 3) Drive circuits can be simple. (3) Source 4) Parallel use is easy. *1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ;

Другие IGBT... RS1E350BN, RS1G120MN, RS1G150MN, RS1G180MN, RS1G260MN, RS1G300GN, RS3E075AT, RSD046P05, 10N60, RSD050N06FRA, RSD050N06TL, RSD050N10FRA, RSD080N06FRA, RSD080P05FRA, RSD100N10FRA, RSD131P10, RSD131P10FRA