Справочник MOSFET. RSD050N10FRA

 

RSD050N10FRA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSD050N10FRA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: SC-63
 

 Аналог (замена) для RSD050N10FRA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD050N10FRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:830K  rohm
 rsd050n10fra.pdf pdf_icon

RSD050N10FRA

AEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOSFET RSD050N10FRAStructure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Drive circuits can be simple. 3) Parallel use is easy. 9 ApplicationsSwitchingPackaging specifications

 5.1. Size:505K  rohm
 rsd050n10.pdf pdf_icon

RSD050N10FRA

4V Drive Nch MOSFET RSD050N10Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Drive circuits can be simple. 3) Parallel use is easy. 9 ApplicationsSwitchingPackaging specifications Inner circuitPackage

 7.1. Size:1067K  rohm
 rsd050n06fra.pdf pdf_icon

RSD050N10FRA

Data SheetAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOSFET RSD050N06FRAStructure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 3) Parallel use is easy. ApplicationsSwitchingPackaging specif

 7.2. Size:1224K  rohm
 rsd050n06.pdf pdf_icon

RSD050N10FRA

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSD050N06Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 3) Parallel use is easy. ApplicationsSwitchingPackaging specifications Inner circ

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RS1G180MN , RS1G260MN , RS1G300GN , RS3E075AT , RSD046P05 , RSD046P05FRA , RSD050N06FRA , RSD050N06TL , IRF9540 , RSD080N06FRA , RSD080P05FRA , RSD100N10FRA , RSD131P10 , RSD131P10FRA , RSD140P06FRA , RSD150N06FRA , RSD160P05FRA .

History: BUK7107-55AIE | UT2305L-AE3-R | 2SK1609 | HGN070N12SL | PSMN5R0-100PS | BUK761R7-40E | TSM4435CS

 

 
Back to Top

 


 
.