Справочник MOSFET. RSD080P05FRA

 

RSD080P05FRA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RSD080P05FRA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.091 Ohm
   Тип корпуса: SC-63

 Аналог (замена) для RSD080P05FRA

 

 

RSD080P05FRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1413K  rohm
 rsd080p05fra.pdf

RSD080P05FRA RSD080P05FRA

Data SheetAEC-Q101 Qualified4V Drive Pch MOSFET RSD080P05RSD080P05FRAStructure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Pack

 5.1. Size:1210K  rohm
 rsd080p05.pdf

RSD080P05FRA RSD080P05FRA

Data Sheet4V Drive Pch MOSFET RSD080P05Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Packaging specifications Inner cir

 8.1. Size:1158K  rohm
 rsd080n06.pdf

RSD080P05FRA RSD080P05FRA

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSD080N06 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) 4V drive.0.753) High power package(CPT3).0.650.9 2.3(1) (2) (3)2.3 0.51.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit1Package TapingTypeCode T

 8.2. Size:1367K  rohm
 rsd080n06fra.pdf

RSD080P05FRA RSD080P05FRA

Data SheetAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOSFET RSD080N06RSD080N06FRA Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) 4V drive.0.753) High power package(CPT3).0.650.9 2.3(1) (2) (3)2.3 0.51.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top