RSD080P05FRA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSD080P05FRA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.091 Ohm

Тип корпуса: SC-63

Аналог (замена) для RSD080P05FRA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD080P05FRA даташит

 ..1. Size:1413K  rohm
 rsd080p05fra.pdf pdf_icon

RSD080P05FRA

Data Sheet AEC-Q101 Qualified 4V Drive Pch MOSFET RSD080P05 RSD080P05FRA Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET CPT3 (SC-63) Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. Application Switching Pack

 5.1. Size:1210K  rohm
 rsd080p05.pdf pdf_icon

RSD080P05FRA

Data Sheet 4V Drive Pch MOSFET RSD080P05 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET CPT3 (SC-63) Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. Application Switching Packaging specifications Inner cir

 8.1. Size:1158K  rohm
 rsd080n06.pdf pdf_icon

RSD080P05FRA

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RSD080N06 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 6.5 (SC-63) 5.1 2.3 0.5 Features 1) Low on-resistance. 2) 4V drive. 0.75 3) High power package(CPT3). 0.65 0.9 2.3 (1) (2) (3) 2.3 0.5 1.0 Application Switching Packaging specifications Inner circuit 1 Package Taping Type Code T

 8.2. Size:1367K  rohm
 rsd080n06fra.pdf pdf_icon

RSD080P05FRA

Data Sheet AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch MOSFET RSD080N06 RSD080N06FRA Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 6.5 (SC-63) 5.1 2.3 0.5 Features 1) Low on-resistance. 2) 4V drive. 0.75 3) High power package(CPT3). 0.65 0.9 2.3 (1) (2) (3) 2.3 0.5 1.0 Application Switching Packaging specifications Inner circuit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RS1G300GN, RS3E075AT, RSD046P05, RSD046P05FRA, RSD050N06FRA, RSD050N06TL, RSD050N10FRA, RSD080N06FRA, 8205A, RSD100N10FRA, RSD131P10, RSD131P10FRA, RSD140P06FRA, RSD150N06FRA, RSD160P05FRA, RSD175N10FRA, RSD200N10TL