RSD140P06FRA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSD140P06FRA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.084 Ohm

Тип корпуса: SC-63

Аналог (замена) для RSD140P06FRA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD140P06FRA даташит

 ..1. Size:1413K  rohm
 rsd140p06fra.pdf pdf_icon

RSD140P06FRA

Data Sheet AEC-Q101 Qualified 4V Drive Pch MOSFET RSD140P06 RSD140P06FRA Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET CPT3 (SC-63) Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. Application Switching Pack

 5.1. Size:1213K  rohm
 rsd140p06.pdf pdf_icon

RSD140P06FRA

Data Sheet 4V Drive Pch MOSFET RSD140P06 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET CPT3 (SC-63) Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. Application Switching Packaging specifications Inner cir

Другие IGBT... RSD050N06FRA, RSD050N06TL, RSD050N10FRA, RSD080N06FRA, RSD080P05FRA, RSD100N10FRA, RSD131P10, RSD131P10FRA, IRF9540, RSD150N06FRA, RSD160P05FRA, RSD175N10FRA, RSD200N10TL, RSD201N10, RSD201N10FRA, RSD221N06, RSD221N06FRA