Справочник MOSFET. RSD140P06FRA

 

RSD140P06FRA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSD140P06FRA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.084 Ohm
   Тип корпуса: SC-63
 

 Аналог (замена) для RSD140P06FRA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD140P06FRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1413K  rohm
 rsd140p06fra.pdf pdf_icon

RSD140P06FRA

Data SheetAEC-Q101 Qualified4V Drive Pch MOSFET RSD140P06RSD140P06FRAStructure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Pack

 5.1. Size:1213K  rohm
 rsd140p06.pdf pdf_icon

RSD140P06FRA

Data Sheet4V Drive Pch MOSFET RSD140P06Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Packaging specifications Inner cir

Другие MOSFET... RSD050N06FRA , RSD050N06TL , RSD050N10FRA , RSD080N06FRA , RSD080P05FRA , RSD100N10FRA , RSD131P10 , RSD131P10FRA , K3569 , RSD150N06FRA , RSD160P05FRA , RSD175N10FRA , RSD200N10TL , RSD201N10 , RSD201N10FRA , RSD221N06 , RSD221N06FRA .

History: MEM4N60THG | PHP79NQ08LT | IRFU214B | SFB024N100C3 | LSD65R180GT | ELM34407AA | UPA1814GR

 

 
Back to Top

 


 
.