RSD200N10TL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSD200N10TL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 61 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm

Тип корпуса: CPT3

Аналог (замена) для RSD200N10TL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD200N10TL даташит

 ..1. Size:239K  rohm
 rsd200n10tl.pdf pdf_icon

RSD200N10TL

4V Drive Nch MOSFET RSD200N10 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V. 5) Drive circuits can be simple. 6) Parallel use is easy. (1)Base(Gate) Applications (2)Collector(Drain) Switching (

 5.1. Size:241K  rohm
 rsd200n10.pdf pdf_icon

RSD200N10TL

4V Drive Nch MOSFET RSD200N10 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V. 5) Drive circuits can be simple. 6) Parallel use is easy. (1)Base(Gate) Applications (2)Collector(Drain) Switching (

 7.1. Size:1197K  rohm
 rsd200n05.pdf pdf_icon

RSD200N10TL

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RSD200N05 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 (SC-63) Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. Application Switching Packaging specifications Inner circu

 9.1. Size:366K  rohm
 rsd201n10.pdf pdf_icon

RSD200N10TL

RSD201N10 Nch 100V 20A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 100V CPT3 (SC-63) RDS(on) (Max.) 46mW (3) ID 20A (2) (1) PD 20W lFeatures lInner circuit (3) 1) Low on-resistance. *1 (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (1) (3) Source 3) Drive circuits can be simple. *2 *1 ESD PROTECTION DIODE 4) Parallel use is easy. *2 BODY DIODE 5) Pb-f

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RSD080P05FRA, RSD100N10FRA, RSD131P10, RSD131P10FRA, RSD140P06FRA, RSD150N06FRA, RSD160P05FRA, RSD175N10FRA, 2N7002, RSD201N10, RSD201N10FRA, RSD221N06, RSD221N06FRA, RSE002P03TL, RSF010P03TL, RSF014N03TL, RSH065N03TB1