PMBF4416A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PMBF4416A
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 35 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.015 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Выходная емкость (Cd): 0.8 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 150 Ohm
Тип корпуса: SOT23
PMBF4416A Datasheet (PDF)
pmbf4416 pmbf4416a cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETPMBF4416; PMBF4416AN-channel field-effect transistorApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel field-effect transistor PMBF4416; PMBF4416AFEATURES Low noise Interchangeability of drain andsource connections High gain.3handbook, halfpageDESC
pmbf4391 pmbf4392 pmbf4393 cnv.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPMBF4391; PMBF4392; PMBF4393N-channel FETsProduct specification April 1995NXP Semiconductors Product specificationPMBF4391;N-channel FETsPMBF4392; PMBF4393DESCRIPTIONSymmetrical silicon n-channel depletion type junction field-effect transistors on a plastic microminiature envelope intended for application in thick and thin-film c
pmbf4391 pmbf4392 pmbf4393 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETPMBF4391; PMBF4392;PMBF4393N-channel FETsApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationPMBF4391;N-channel FETsPMBF4392; PMBF4393DESCRIPTIONSymmetrical silicon n-channeldepletion type junction field-effecttransistors on a plasticmicrominiature envelope intended f
Другие MOSFET... PHX6ND50E , PHX7N60E , PHX8N50E , PHX8ND50E , PMBF4391 , PMBF4392 , PMBF4393 , PMBF4416 , AON6414A , PMBF5484 , PMBF5485 , PMBF5486 , PMBFJ108 , PMBFJ109 , PMBFJ110 , PMBFJ111 , PMBFJ112 .
