RT3J11M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3J11M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 5.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm

Тип корпуса: SC-88

Аналог (замена) для RT3J11M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RT3J11M даташит

 ..1. Size:145K  isahaya
 rt3j11m.pdf pdf_icon

RT3J11M

PRELIMINARY RT3J11M Composite Transistor For high speed switching Silicon -channel MOSFET DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3J11M is a composite transistor built with two INJ0001AX chips in SC-88 package. 2.1 1.25 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. Vth is low, and drive by low volt

Другие IGBT... RSS125N03TB, RSS130N03FU6TB, RSS130N03TB, RSS140N03TB, RSU002P03T106, RSY200N05TL, RT1A040ZPTR, RT1A050ZPTR, IRF640N, RT3J22M, RT3J33M, RT3J55M, RT3K11M, RT3K22M, RT3K33M, RT3K44M, RT3K66M