Справочник MOSFET. RT3J11M

 

RT3J11M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RT3J11M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.2 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
   Тип корпуса: SC-88

 Аналог (замена) для RT3J11M

 

 

RT3J11M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  isahaya
 rt3j11m.pdf

RT3J11M RT3J11M

PRELIMINARY RT3J11MComposite Transistor For high speed switchingSilicon -channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3J11M is a composite transistor built with two INJ0001AX chips in SC-88 package. 2.1 1.25 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. Vth is low, and drive by low volt

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top