RT3J11M - аналоги и даташиты транзистора

 

RT3J11M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RT3J11M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.2 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
   Тип корпуса: SC-88
 

 Аналог (замена) для RT3J11M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RT3J11M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  isahaya
 rt3j11m.pdf pdf_icon

RT3J11M

PRELIMINARY RT3J11MComposite Transistor For high speed switchingSilicon -channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3J11M is a composite transistor built with two INJ0001AX chips in SC-88 package. 2.1 1.25 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. Vth is low, and drive by low volt

Другие MOSFET... RSS125N03TB , RSS130N03FU6TB , RSS130N03TB , RSS140N03TB , RSU002P03T106 , RSY200N05TL , RT1A040ZPTR , RT1A050ZPTR , IRF630 , RT3J22M , RT3J33M , RT3J55M , RT3K11M , RT3K22M , RT3K33M , RT3K44M , RT3K66M .

History: AP99LT06GI-HF | CHM9936AJGP | MTN7N60FP

 

 
Back to Top

 


 
.