Справочник MOSFET. RT3K22M

 

RT3K22M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RT3K22M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: SC-88
 

 Аналог (замена) для RT3K22M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RT3K22M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:146K  isahaya
 rt3k22m.pdf pdf_icon

RT3K22M

RT3K22MComposite Transistor For high speed switchingSilicon N-channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3K22M is a composite transistor built with two INK0002AX chips in SC-88 package. 2.1 1.25 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. Vth is low, and drive by low voltage is possible. Vth

Другие MOSFET... RSY200N05TL , RT1A040ZPTR , RT1A050ZPTR , RT3J11M , RT3J22M , RT3J33M , RT3J55M , RT3K11M , IRFB4227 , RT3K33M , RT3K44M , RT3K66M , RT3U11M , RT3U22M , RT3U33M , RTE002P02TL , RTF010P02 .

History: 2N5462 | IXFH80N10 | P0260EIA | SQ4840EY | HUF76629D3ST | TTP115N08AA

 

 
Back to Top

 


 
.