RT3U33M - аналоги и даташиты транзистора

 

RT3U33M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RT3U33M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: SC-88
 

 Аналог (замена) для RT3U33M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RT3U33M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  isahaya
 rt3u33m.pdf pdf_icon

RT3U33M

PRELIMINARY RT3U33MComposite Transistor For high speed switchingSilicon N-channel + P-channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3U33M is a composite transistor built withINK0003AX and INJ0003AX chips in SC-88 package. 2.1 1.25 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. Vth is low, and drive

Другие MOSFET... RT3J55M , RT3K11M , RT3K22M , RT3K33M , RT3K44M , RT3K66M , RT3U11M , RT3U22M , 7N65 , RTE002P02TL , RTF010P02 , RTF010P02TL , RTF015N03TL , RTF015P02TL , RTF020P02 , RTF020P02TL , RTF025N03FRA .

History: OSG65R028H4T3ZF | NP88N04EHE | OSG65R200JF | IPP030N10N3G | OSG65R200JT3F | RT3K22M | IRFM054

 

 
Back to Top

 


 
.