Справочник MOSFET. RT3U33M

 

RT3U33M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RT3U33M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: SC-88
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RT3U33M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  isahaya
 rt3u33m.pdf pdf_icon

RT3U33M

PRELIMINARY RT3U33MComposite Transistor For high speed switchingSilicon N-channel + P-channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3U33M is a composite transistor built withINK0003AX and INJ0003AX chips in SC-88 package. 2.1 1.25 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. Vth is low, and drive

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HGN012N03AL | BF1206F | TK3A60DA | 4N65KL-T2Q-R | MTB23C04J4 | ECG454

 

 
Back to Top

 


 
.