Справочник MOSFET. RT3U33M

 

RT3U33M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RT3U33M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: SC-88

 Аналог (замена) для RT3U33M

 

 

RT3U33M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  isahaya
 rt3u33m.pdf

RT3U33M RT3U33M

PRELIMINARY RT3U33MComposite Transistor For high speed switchingSilicon N-channel + P-channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3U33M is a composite transistor built withINK0003AX and INJ0003AX chips in SC-88 package. 2.1 1.25 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. Vth is low, and drive

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top