Справочник MOSFET. RTQ020N03FRA

 

RTQ020N03FRA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RTQ020N03FRA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6
 

 Аналог (замена) для RTQ020N03FRA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RTQ020N03FRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:913K  rohm
 rtq020n03fra.pdf pdf_icon

RTQ020N03FRA

RTQ020N03RTQ020N03FRATransistorsAEC-Q101 Qualified2.5V Drive Nch MOS FET RTQ020N03FRARTQ020N03 Structure External dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOS FET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0~0.1(1) (2) (3)3) Low voltage drive (2.5V drive). 1pin mark

 5.1. Size:55K  rohm
 rtq020n03.pdf pdf_icon

RTQ020N03FRA

RTQ020N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTQ020N03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0~0.1(1) (2) (3)3) Low voltage drive (2.5V drive). 1pin mark0.160.4Each lead has same dimensions

 5.2. Size:53K  rohm
 rtq020n03tr.pdf pdf_icon

RTQ020N03FRA

RTQ020N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTQ020N03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0~0.1(1) (2) (3)3) Low voltage drive (2.5V drive). 1pin mark0.160.4Each lead has same dimensions

 6.1. Size:217K  rohm
 rtq020n05.pdf pdf_icon

RTQ020N03FRA

2.5V Drive Nch MOSFET RTQ020N05 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.71) Low On-resistance. (6) (5) (4)2) Space savingsmall surface mount package (TSMT6). 0~0.13) Low voltage drive (2.5V drive). (1) (2) (3)1pin mark0.160.4Each lead has same dimensions ApplicationsAbbreviated symbo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RTF025N03TL , RTL020P02FRA , RTL020P02TR , RTL030P02TR , RTL035N03FRA , RTL035N03TR , RTM002P02T2L , RTP315N10F7 , IRFB3607 , RTQ020N03TR , RTQ020N05TR , RTQ025P02FRA , RTQ025P02TR , RTQ030P02TR , RTQ035N03FRA , RTQ035N03TR , RTQ035P02FHA .

History: ME96N03-G | FMP20N50E | DAMH50N500H | ME4972-G | P4506BD | HY1803C2 | OSG65R070PT3F

 

 
Back to Top

 


 
.