Справочник MOSFET. RTQ020N05TR

 

RTQ020N05TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RTQ020N05TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6
 

 Аналог (замена) для RTQ020N05TR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RTQ020N05TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:537K  rohm
rtq020n05tr.pdfpdf_icon

RTQ020N05TR

RTQ020N05 Nch 45V 2A Power MOSFET DatasheetlOutline(6) VDSS45V(5) TSMT6(4) RDS(on) (Max.)190mW(1) ID2A(2) PD1.25W (3) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Drain (2) Drain 2) Built-in G-S Protection Diode.(3) Gate (4) Source 3) Small Surface Mount Package (TSMT6).(5) Drain (6) Drain 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant*1 E

 5.1. Size:217K  rohm
rtq020n05.pdfpdf_icon

RTQ020N05TR

2.5V Drive Nch MOSFET RTQ020N05 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.71) Low On-resistance. (6) (5) (4)2) Space savingsmall surface mount package (TSMT6). 0~0.13) Low voltage drive (2.5V drive). (1) (2) (3)1pin mark0.160.4Each lead has same dimensions ApplicationsAbbreviated symbo

 5.2. Size:1526K  rohm
rtq020n05hzg.pdfpdf_icon

RTQ020N05TR

RTQ020N05HZGDatasheetNch 45V 2A Small Signal MOSFETlOutlinel SOT-457TVDSS45V SC-95RDS(on)(Max.)190m TSMT6ID2APD1.25W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) Built-in G-S protection diode3) Small surface mount package(TSMT6)4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant5) AEC-Q101 Qualifiedl

 6.1. Size:55K  rohm
rtq020n03.pdfpdf_icon

RTQ020N05TR

RTQ020N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTQ020N03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0~0.1(1) (2) (3)3) Low voltage drive (2.5V drive). 1pin mark0.160.4Each lead has same dimensions

Другие MOSFET... RTL020P02TR , RTL030P02TR , RTL035N03FRA , RTL035N03TR , RTM002P02T2L , RTP315N10F7 , RTQ020N03FRA , RTQ020N03TR , RFP50N06 , RTQ025P02FRA , RTQ025P02TR , RTQ030P02TR , RTQ035N03FRA , RTQ035N03TR , RTQ035P02FHA , RTQ035P02TR , RTQ040P02TR .

History: 2SK1446 | PHD82NQ03LT | BUK9624-55A | SVF2N60CNF | BSC084P03NS3G

 

 
Back to Top

 


 
.