Справочник MOSFET. RTQ035N03FRA

 

RTQ035N03FRA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RTQ035N03FRA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RTQ035N03FRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:913K  rohm
 rtq035n03fra.pdf pdf_icon

RTQ035N03FRA

RTQ035N03FRARTQ035N03TransistorsAEC-Q101 Qualified2.5V Drive Nch MOS FET RTQ035N03FRARTQ035N03 Structure External dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOS FET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0~0.13) Low voltage drive (2.5V drive). (1) (2) (3)1pin mark

 5.1. Size:53K  rohm
 rtq035n03tr.pdf pdf_icon

RTQ035N03FRA

RTQ035N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTQ035N03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0~0.13) Low voltage drive (2.5V drive). (1) (2) (3)1pin mark0.160.4Each lead has same dimensions

 5.2. Size:55K  rohm
 rtq035n03.pdf pdf_icon

RTQ035N03FRA

RTQ035N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTQ035N03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0~0.13) Low voltage drive (2.5V drive). (1) (2) (3)1pin mark0.160.4Each lead has same dimensions

 8.1. Size:1036K  rohm
 rtq035p02fha.pdf pdf_icon

RTQ035N03FRA

RTQ035P02FHARTQ035P02TransistorAEC-Q101 Qualified2.5V Drive Pch MOS FET RTQ035P02FHARTQ035P02 External dimensions (Unit : mm) StructureSilicon P-channel MOSFETTSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance.(80m at 2.5V) 2) High Power Package. 0~0.1(1) (2) (3)3) High speed switching. 1pin mark4) Low voltage drive.(2.5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTMFS6B05NT1G | CHM4804AJGP | SSF60R280SFD | 2N4338 | SI1402DH | IXFH13N50 | 2N4222A

 

 
Back to Top

 


 
.