RTQ035N03FRA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: RTQ035N03FRA
Маркировка: QP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 4.6 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054 Ohm
Тип корпуса: TSMT6
RTQ035N03FRA Datasheet (PDF)
rtq035n03fra.pdf

RTQ035N03FRARTQ035N03TransistorsAEC-Q101 Qualified2.5V Drive Nch MOS FET RTQ035N03FRARTQ035N03 Structure External dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOS FET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0~0.13) Low voltage drive (2.5V drive). (1) (2) (3)1pin mark
rtq035n03tr.pdf

RTQ035N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTQ035N03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0~0.13) Low voltage drive (2.5V drive). (1) (2) (3)1pin mark0.160.4Each lead has same dimensions
rtq035n03.pdf

RTQ035N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTQ035N03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0~0.13) Low voltage drive (2.5V drive). (1) (2) (3)1pin mark0.160.4Each lead has same dimensions
rtq035p02fha.pdf

RTQ035P02FHARTQ035P02TransistorAEC-Q101 Qualified2.5V Drive Pch MOS FET RTQ035P02FHARTQ035P02 External dimensions (Unit : mm) StructureSilicon P-channel MOSFETTSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance.(80m at 2.5V) 2) High Power Package. 0~0.1(1) (2) (3)3) High speed switching. 1pin mark4) Low voltage drive.(2.5
Другие MOSFET... RTM002P02T2L , RTP315N10F7 , RTQ020N03FRA , RTQ020N03TR , RTQ020N05TR , RTQ025P02FRA , RTQ025P02TR , RTQ030P02TR , AON7506 , RTQ035N03TR , RTQ035P02FHA , RTQ035P02TR , RTQ040P02TR , RTQ045N03FRA , RTQ045N03TR , RTR020N05FRA , RTR020N05TL .
History: IRFS7530 | ME7232S-G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0606AE | JMSL0606AC | JMSL0605PG | JMSL0605AGDQ | JMSL0605AGD | JMSL040SPG | JMSL040SMTL | JMSL040SAGQ | JMSL040SAG | JMSL0406PU | JMSL0406PK | JMSL0406PGD | JMSL0406PG | JMSL0406AUQ | JMSL0406AU | JMSL0406AP
Popular searches
irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g