Справочник MOSFET. RTQ035P02TR

 

RTQ035P02TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RTQ035P02TR
   Маркировка: TL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RTQ035P02TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  rohm
 rtq035p02tr.pdf pdf_icon

RTQ035P02TR

RTQ035P02 Transistor DC-DC Converter (-20V, -3.5A) RTQ035P02 External dimensions (Units : mm) Features 1) Low On-resistance.(80m at 2.5V) 2) High Power Package. TSMT62.83) High speed switching. 1.64) Low voltage drive.(2.5V) Each lead has same dimensionsAbbreviatedsymbol : TL Applications DC-DC converter Equivalent circuit Structure Silicon P-channel

 5.1. Size:1036K  rohm
 rtq035p02fha.pdf pdf_icon

RTQ035P02TR

RTQ035P02FHARTQ035P02TransistorAEC-Q101 Qualified2.5V Drive Pch MOS FET RTQ035P02FHARTQ035P02 External dimensions (Unit : mm) StructureSilicon P-channel MOSFETTSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance.(80m at 2.5V) 2) High Power Package. 0~0.1(1) (2) (3)3) High speed switching. 1pin mark4) Low voltage drive.(2.5

 8.1. Size:53K  rohm
 rtq035n03tr.pdf pdf_icon

RTQ035P02TR

RTQ035N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTQ035N03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0~0.13) Low voltage drive (2.5V drive). (1) (2) (3)1pin mark0.160.4Each lead has same dimensions

 8.2. Size:55K  rohm
 rtq035n03.pdf pdf_icon

RTQ035P02TR

RTQ035N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTQ035N03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0~0.13) Low voltage drive (2.5V drive). (1) (2) (3)1pin mark0.160.4Each lead has same dimensions

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: J211 | BUK763R4-30B

 

 
Back to Top

 


 
.