Справочник MOSFET. RTQ040P02TR

 

RTQ040P02TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RTQ040P02TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6
 

 Аналог (замена) для RTQ040P02TR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RTQ040P02TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:77K  rohm
 rtq040p02tr.pdf pdf_icon

RTQ040P02TR

RTQ040P02 Transistors DC-DC Converter (-20V, -4.0A) RTQ040P02 External dimensions (Unit : mm) Features 1) Low on-resistance. (110m at 2.5V) TSMT62.82) High power package. 1.63) High speed switching. 4) Low voltage drive. (2.5V) (1) Drain Applications (2) DrainDC-DC converter (3) GateEach lead has same dimensions(4) Source(5) Drain(6) Drain Abbrev

 9.1. Size:927K  rohm
 rtq045n03fra.pdf pdf_icon

RTQ040P02TR

RTQ045N03RTQ045N03FRATransistorsAEC-Q101 Qualified2.5V Drive Nch MOS FET RTQ045N03 RTQ045N03FRA External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel TSMT6MOS FET1.0MAX2.90.851.90.95 0.95 0.7(6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 0~0.1(1) (2) (3)2) Built-in G-S Protection Diode. 1pin mark3) Small Surface Mount Package (TSMT6) . 0.160.

 9.2. Size:66K  rohm
 rtq045n03.pdf pdf_icon

RTQ040P02TR

RTQ045N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTQ045N03 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel TSMT6MOS FET 1.0MAX2.90.851.9 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 0~0.1(1) (2) (3)2) Built-in G-S Protection Diode. 1pin mark3) Small Surface Mount Package (TSMT6) . 0.160.4Each lead has same dimensions Abbreviat

 9.3. Size:64K  rohm
 rtq045n03tr.pdf pdf_icon

RTQ040P02TR

RTQ045N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTQ045N03 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel TSMT6MOS FET 1.0MAX2.90.851.9 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 0~0.1(1) (2) (3)2) Built-in G-S Protection Diode. 1pin mark3) Small Surface Mount Package (TSMT6) . 0.160.4Each lead has same dimensions Abbreviat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RTQ020N05TR , RTQ025P02FRA , RTQ025P02TR , RTQ030P02TR , RTQ035N03FRA , RTQ035N03TR , RTQ035P02FHA , RTQ035P02TR , IRFP450 , RTQ045N03FRA , RTQ045N03TR , RTR020N05FRA , RTR020N05TL , RTR020P02 , RTR020P02FRA , RTR020P02TL , RTR025N03FRA .

History: AP6679GP | HM2301D | 25N10L-TF3-T | MME70R380PRH | IRFP440R | QS8M51 | CS12N65FA9R

 

 
Back to Top

 


 
.