RTR025N05FRA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RTR025N05FRA
Маркировка: PW
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3.2 nC
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
Тип корпуса: TSMT3
Аналог (замена) для RTR025N05FRA
RTR025N05FRA Datasheet (PDF)
rtr025n05fra.pdf
AEC-Q101 Qualified2.5V Drive Nch MOSFET RTR025N05 RTR025N05FRA Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT31.0MAX2.9 0.850.4 0.7( )3 Features 1) Low On-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. ( ) ( )1 23) Small Surface Mount Package (TSMT3). 0.95 0.950.161.9(1) Gate Each lead has same dimensions(2) SourceAbbreviated symbo
rtr025n05tl.pdf
2.5V Drive Nch MOSFET RTR025N05 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT31.0MAX2.9 0.850.4 0.7( )3 Features 1) Low On-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. ( ) ( )1 23) Small Surface Mount Package (TSMT3). 0.95 0.950.161.9(1) Gate Each lead has same dimensions (2) SourceAbbreviated symbol : PW(3) Drain Application
rtr025n05.pdf
2.5V Drive Nch MOSFET RTR025N05 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT31.0MAX2.9 0.850.4 0.7( )3 Features 1) Low On-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. ( ) ( )1 23) Small Surface Mount Package (TSMT3). 0.95 0.950.161.9(1) Gate Each lead has same dimensions (2) SourceAbbreviated symbol : PW(3) Drain Application
rtr025n05t.pdf
RTR025N05Twww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F