Справочник MOSFET. RTR025N05FRA

 

RTR025N05FRA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RTR025N05FRA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: TSMT3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RTR025N05FRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1056K  rohm
 rtr025n05fra.pdf pdf_icon

RTR025N05FRA

AEC-Q101 Qualified2.5V Drive Nch MOSFET RTR025N05 RTR025N05FRA Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT31.0MAX2.9 0.850.4 0.7( )3 Features 1) Low On-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. ( ) ( )1 23) Small Surface Mount Package (TSMT3). 0.95 0.950.161.9(1) Gate Each lead has same dimensions(2) SourceAbbreviated symbo

 5.1. Size:214K  rohm
 rtr025n05tl.pdf pdf_icon

RTR025N05FRA

2.5V Drive Nch MOSFET RTR025N05 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT31.0MAX2.9 0.850.4 0.7( )3 Features 1) Low On-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. ( ) ( )1 23) Small Surface Mount Package (TSMT3). 0.95 0.950.161.9(1) Gate Each lead has same dimensions (2) SourceAbbreviated symbol : PW(3) Drain Application

 5.2. Size:216K  rohm
 rtr025n05.pdf pdf_icon

RTR025N05FRA

2.5V Drive Nch MOSFET RTR025N05 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT31.0MAX2.9 0.850.4 0.7( )3 Features 1) Low On-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. ( ) ( )1 23) Small Surface Mount Package (TSMT3). 0.95 0.950.161.9(1) Gate Each lead has same dimensions (2) SourceAbbreviated symbol : PW(3) Drain Application

 5.3. Size:1451K  cn vbsemi
 rtr025n05t.pdf pdf_icon

RTR025N05FRA

RTR025N05Twww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.