RZF020P01TL - описание и поиск аналогов

 

RZF020P01TL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RZF020P01TL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm

Тип корпуса: TUMT3

Аналог (замена) для RZF020P01TL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RZF020P01TL даташит

 ..1. Size:228K  rohm
 rzf020p01tl.pdf pdf_icon

RZF020P01TL

1.5V Drive Pch MOSFET RZF020P01 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small and Surface Mount Package (TUMT3). 4) Low voltage drive (1.5V). (1) Gate (2) Source Abbreviated symbol ZE (3) Drain Applications Inner circuit Switching (3) Packaging specifications 2 P

 5.1. Size:229K  rohm
 rzf020p01.pdf pdf_icon

RZF020P01TL

1.5V Drive Pch MOSFET RZF020P01 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small and Surface Mount Package (TUMT3). 4) Low voltage drive (1.5V). (1) Gate (2) Source Abbreviated symbol ZE (3) Drain Applications Inner circuit Switching (3) Packaging specifications 2 P

Другие MOSFET... RV2C001ZP , RV2C002UN , RV2C010UN , RV3C001ZP , RV3C002UN , RVQ040N05TR , RW1C026ZP , RZE002P02TL , IRF830 , RZL025P01TR , RZL035P01TR , RZM001P02 , RZQ045P01TR , RZY200P01TL , S2N7002DM , SBSS84LT1G , SC3018 .

History: 2SK303 | IRFS630B | 2SK1638 | APT48M80L | HM15N50 | SVD640D | HM15N02Q

 

 

 

 

↑ Back to Top
.