Справочник MOSFET. RZF020P01TL

 

RZF020P01TL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RZF020P01TL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: TUMT3
 

 Аналог (замена) для RZF020P01TL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RZF020P01TL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:228K  rohm
 rzf020p01tl.pdf pdf_icon

RZF020P01TL

1.5V Drive Pch MOSFET RZF020P01 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small and Surface Mount Package (TUMT3). 4) Low voltage drive (1.5V). (1) Gate(2) SourceAbbreviated symbol : ZE(3) Drain Applications Inner circuit Switching (3) Packaging specifications 2P

 5.1. Size:229K  rohm
 rzf020p01.pdf pdf_icon

RZF020P01TL

1.5V Drive Pch MOSFET RZF020P01 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small and Surface Mount Package (TUMT3). 4) Low voltage drive (1.5V). (1) Gate(2) SourceAbbreviated symbol : ZE(3) Drain Applications Inner circuit Switching (3) Packaging specifications 2P

Другие MOSFET... RV2C001ZP , RV2C002UN , RV2C010UN , RV3C001ZP , RV3C002UN , RVQ040N05TR , RW1C026ZP , RZE002P02TL , IRF1405 , RZL025P01TR , RZL035P01TR , RZM001P02 , RZQ045P01TR , RZY200P01TL , S2N7002DM , SBSS84LT1G , SC3018 .

History: CHM4431JGP | KHB1D0N70G | SSF13N50F | LNB4N80 | FTK20N06D | NCEA85H25 | AP6P090H

 

 
Back to Top

 


 
.