SIJ400DP - аналоги и даташиты транзистора

 

SIJ400DP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SIJ400DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 930 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: SO-8L
 

 Аналог (замена) для SIJ400DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIJ400DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  vishay
 sij400dp.pdf pdf_icon

SIJ400DP

New ProductSiJ400DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.004 at VGS = 10 V 32 TrenchFET Power MOSFET30 45 nC0.005 at VGS = 4.5 V 100 % Rg Tested32 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8L Single Compliant to RoHS Directiv

Другие MOSFET... RZY200P01TL , S2N7002DM , SBSS84LT1G , SC3018 , SCH1301 , SCH1302 , SCH1345 , SCH2825 , IRFP064N , SIJ420DP , SIJ458DP , SIJ470DP , SIJ478DP , SIJ482DP , SIJ484DP , SIJ800DP , SIR158DP .

History: CJCD2007 | BRCS18N20DP | AP9467AGH | WMP10N100C2 | HGP037N10T | SCH1302

 

 
Back to Top

 


 
.