SIJ400DP - описание и поиск аналогов

 

SIJ400DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIJ400DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 930 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: SO-8L

Аналог (замена) для SIJ400DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIJ400DP даташит

 ..1. Size:172K  vishay
 sij400dp.pdf pdf_icon

SIJ400DP

New Product SiJ400DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) Definition 0.004 at VGS = 10 V 32 TrenchFET Power MOSFET 30 45 nC 0.005 at VGS = 4.5 V 100 % Rg Tested 32 100 % UIS Tested PowerPAK SO-8L Single Compliant to RoHS Directiv

Другие MOSFET... RZY200P01TL , S2N7002DM , SBSS84LT1G , SC3018 , SCH1301 , SCH1302 , SCH1345 , SCH2825 , AO4468 , SIJ420DP , SIJ458DP , SIJ470DP , SIJ478DP , SIJ482DP , SIJ484DP , SIJ800DP , SIR158DP .

History: MTW8N50E | BLL6H0514L-130

 

 

 

 

↑ Back to Top
.