Справочник MOSFET. SIJ478DP

 

SIJ478DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIJ478DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.6 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm
   Тип корпуса: SO-8L

 Аналог (замена) для SIJ478DP

 

 

SIJ478DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  vishay
 sij478dp.pdf

SIJ478DP SIJ478DP

SiJ478DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0080 at VGS = 10 V 60a Material categorization: 80 0.0088 at VGS = 6.0 V 60a 17.1 nCFor definitions of compliance please see 0.0115 at VGS = 4.5 V 54www.vishay.com/doc?99912

 9.1. Size:163K  vishay
 sij470dp.pdf

SIJ478DP SIJ478DP

SiJ470DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET Technology Optimizes Balance VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.)of RDS(on), Qg, Qsw and Qoss0.0091 at VGS = 10 V 58.8 100 % Rg and UIS Tested100 28.5 nC0.0100 at VGS = 7.5 V 54.6 Material categorization: For definitions of compliance please see

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 

Back to Top