SIJ478DP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SIJ478DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm
Тип корпуса: SO-8L
Аналог (замена) для SIJ478DP
SIJ478DP Datasheet (PDF)
sij478dp.pdf

SiJ478DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0080 at VGS = 10 V 60a Material categorization: 80 0.0088 at VGS = 6.0 V 60a 17.1 nCFor definitions of compliance please see 0.0115 at VGS = 4.5 V 54www.vishay.com/doc?99912
sij470dp.pdf

SiJ470DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET Technology Optimizes Balance VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.)of RDS(on), Qg, Qsw and Qoss0.0091 at VGS = 10 V 58.8 100 % Rg and UIS Tested100 28.5 nC0.0100 at VGS = 7.5 V 54.6 Material categorization: For definitions of compliance please see
Другие MOSFET... SCH1301 , SCH1302 , SCH1345 , SCH2825 , SIJ400DP , SIJ420DP , SIJ458DP , SIJ470DP , IRF740 , SIJ482DP , SIJ484DP , SIJ800DP , SIR158DP , SIR166DP , SIR168DP , SIR172ADP , SIR172DP .
History: HUFA76619D3 | YJL2300A | SI2316DS | APM7312K | DH100P18D | MTM12N10 | 2SK2882
History: HUFA76619D3 | YJL2300A | SI2316DS | APM7312K | DH100P18D | MTM12N10 | 2SK2882



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent