Справочник MOSFET. SIR172DP

 

SIR172DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIR172DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 19.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0089 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIR172DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR172DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:488K  vishay
 sir172dp.pdf pdf_icon

SIR172DP

SiR172DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0089 at VGS = 10 V 20 Low Thermal Resistance PowerPAK Package 30 9.8 nC0.0124 at VGS = 4.5 V 20with Low 1.07 mm Profile Optimized for High-Side Synchr

 8.1. Size:494K  vishay
 sir172adp.pdf pdf_icon

SIR172DP

SiR172ADPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a, g Qg (Typ.) Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile0.0085 at VGS = 10 V 2430 12.8 nC Optimized for High-Side Synchronous Rectifier 0.0105 at VGS = 4.5 V 24Operation 100 % Rg and UIS Tes

Другие MOSFET... SIJ478DP , SIJ482DP , SIJ484DP , SIJ800DP , SIR158DP , SIR166DP , SIR168DP , SIR172ADP , IRFP460 , SIR316DP , SIR330DP , SIR401DP , SIR402DP , SIR403EDP , SIR404DP , SIR406DP , SIR408DP .

History: 2SK4065K | 2SK3353 | SIHFIB7N50A

 

 
Back to Top

 


 
.