Справочник MOSFET. SIR770DP

 

SIR770DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIR770DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIR770DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR770DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:510K  vishay
 sir770dp.pdf pdf_icon

SIR770DP

SiR770DPVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS RDS(on) () ID (A)a, f Qg (Typ.)Definition0.021 at VGS = 10 V 8.0Channel-1 30 6.6 TrenchFET Power MOSFET0.025 at VGS = 4.5 V 8.0 100 % Rg and UIS Tested0.021 at VGS = 10 V 8.0Channel-2 30 6.6 Compliant

 9.1. Size:182K  vishay
 sir774dp.pdf pdf_icon

SIR770DP

New ProductSiR774DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21Definition VDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a Qg (Typ.) SkyFET Monolithic TrenchFET 0.0026 at VGS = 10 V 40Power MOSFET and Schottky Diode30 28.5 nC0.0034 at VGS = 4.5 V 40 100 % Rg and UIS Tested

Другие MOSFET... SIR492DP , SIR494DP , SIR496DP , SIR640ADP , SIR640DP , SIR642DP , SIR662DP , SIR698DP , AO4407 , SIR774DP , SIR788DP , SIR798DP , SIR800DP , SIR802DP , SIR804DP , SIR808DP , SIR812DP .

History: AP2RA04GMT-HF | MTN3820J3 | SLF60R850S2 | MTM2N85 | S-LBSS138LT1G | 2SK1626 | 7240

 

 
Back to Top

 


 
.