SIR826DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SIR826DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1870 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SIR826DP Datasheet (PDF)
sir826dp.pdf
New ProductSiR826DPVishay SiliconixN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0048 at VGS = 10 V 60 TrenchFET Power MOSFET0.0052 at VGS = 7.5 V 80 60 27.9 nC 100 % Rg Tested0.0065 at VGS = 4.5 V 60 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Dire
sir826adp.pdf
New ProductSiR826ADPVishay SiliconixN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0055 at VGS = 10 V Material categorization:60For definitions of compliance please see0.0059 at VGS = 7.5 V 80 60 25 nCwww.vishay.com/doc?999120.0087 at VGS = 4.5 V 60AP
sir820dp.pdf
New ProductSiR820DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET0.0030 at VGS = 10 V 40g30 28.6 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0038 at VGS = 4.5 V 40g Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSPowerPAK SO-8
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: SIR800DP
History: SIR800DP
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918