SIR882ADP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIR882ADP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 748 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0087 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SIR882ADP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR882ADP даташит

 ..1. Size:506K  vishay
sir882adp.pdfpdf_icon

SIR882ADP

New Product SiR882ADP Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0087 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 60 0.0094 at VGS = 7.5 V 100 % Rg and UIS Tested 100 60 19.5 nC 0.0115 at VGS = 4.5 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 60

 8.1. Size:184K  vishay
sir882dp.pdfpdf_icon

SIR882ADP

New Product SiR882DP Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0087 at VGS = 10 V 60 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested 0.0094 at VGS = 7.5 V 100 60 18.3 nC 100 % UIS Tested 0.0115 at VGS = 4.5 V 60 Compliant to RoHS Di

 9.1. Size:507K  vishay
sir888dp.pdfpdf_icon

SIR882ADP

New Product SiR888DP Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.00325 at VGS = 10 V 40g 100 % Rg Tested COMPLIANT 25 35.5 nC 0.0040 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Avalanche Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Low-Side Switch in Synchronous Buck

 9.2. Size:499K  vishay
sir880dp.pdfpdf_icon

SIR882ADP

New Product SiR880DP Vishay Siliconix N-Channel 80 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0059 at VGS = 10 V 60 TrenchFET Power MOSFET 0.0067 at VGS = 7.5 V 80 60 23 nC 100 % Rg Tested 0.0085 at VGS = 4.5 V 60 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Direct

Другие IGBT... SIR872DP, SIR874DP, SIR876ADP, SIR876DP, SIR878ADP, SIR878DP, SIR880ADP, SIR880DP, IRFZ48N, SIR882DP, SIR888DP, SIR890DP, SIR892DP, SIRA00DP, SIRA02DP, SIRA04DP, SIRA06DP