SIR890DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIR890DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 810 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SIR890DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR890DP даташит

 ..1. Size:508K  vishay
 sir890dp.pdf pdf_icon

SIR890DP

New Product SiR890DP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0029 at VGS = 10 V 50g 100 % Rg Tested 20 20 nC 0.0040 at VGS = 4.5 V 50g 100 % UIS Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS Low-Side MOSFET in Synchronous Buck

 9.1. Size:508K  vishay
 sir892dp.pdf pdf_icon

SIR890DP

New Product SiR892DP Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0032 at VGS = 10 V 50a, g 100 % Rg Tested 25 20 nC 0.0042 at VGS = 4.5 V 50a, g 100 % UIS Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS Low-Side MOSFET in Synchronous

Другие IGBT... SIR876DP, SIR878ADP, SIR878DP, SIR880ADP, SIR880DP, SIR882ADP, SIR882DP, SIR888DP, IRLB3034, SIR892DP, SIRA00DP, SIRA02DP, SIRA04DP, SIRA06DP, SIRA10DP, SIRA12DP, SIRA14DP