Справочник MOSFET. SIR890DP

 

SIR890DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIR890DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 810 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR890DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:508K  vishay
 sir890dp.pdf pdf_icon

SIR890DP

New ProductSiR890DPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0029 at VGS = 10 V 50g 100 % Rg Tested20 20 nC0.0040 at VGS = 4.5 V 50g 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Low-Side MOSFET in Synchronous Buck

 9.1. Size:508K  vishay
 sir892dp.pdf pdf_icon

SIR890DP

New ProductSiR892DPVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0032 at VGS = 10 V 50a, g 100 % Rg Tested25 20 nC0.0042 at VGS = 4.5 V 50a, g 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8 APPLICATIONS Low-Side MOSFET in Synchronous

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: STW80NE06-10 | BL20N60-W | AP70T03GJB | MTA17A02CDV8 | IPD60R2K0C6 | SSM3K344R | AP2R803GH-HF

 

 
Back to Top

 


 
.