SIRA10DP - аналоги и даташиты транзистора

 

SIRA10DP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SIRA10DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIRA10DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIRA10DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  vishay
 sira10dp.pdf pdf_icon

SIRA10DP

New ProductSiRA10DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0037 at VGS = 10 V 30g Material categorization:30 15.4 nCFor definitions of compliance please see0.0050 at VGS = 4.5 V 30gwww.vishay.com/doc?99912APPLICATIONS

 8.1. Size:418K  vishay
 sira10bdp.pdf pdf_icon

SIRA10DP

SiRA10BDPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8D 7 100 % Rg and UIS testedD 65 Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?9991212 SAPPLICATIONSD3 S4 S1 High power density DC/DCGTop View Bottom View Syn

 9.1. Size:240K  vishay
 sira14bdp.pdf pdf_icon

SIRA10DP

SiRA14BDPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8D 7 100 % Rg and UIS testedD 65 Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?9991212 SDAPPLICATIONS3 S4 S1 High power density DC/DCGTop View Bottom View Syn

 9.2. Size:507K  vishay
 sira14dp.pdf pdf_icon

SIRA10DP

New ProductSiRA14DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.00510 at VGS = 10 V Material categorization:2030 9.4 nCFor definitions of compliance please see0.00850 at VGS = 4.5 V 20www.vishay.com/doc?99912PowerPAK SO-8

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIR882DP , SIR888DP , SIR890DP , SIR892DP , SIRA00DP , SIRA02DP , SIRA04DP , SIRA06DP , RU7088R , SIRA12DP , SIRA14DP , SIRA18DP , APT1001R6BFLLG , APT1001R6SFLLG , APT1001RSVFR , APT1001RSVRG , APT10026L2FLLG .

History: SIRA04DP

 

 
Back to Top

 


 
.