SIRA10DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIRA10DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SIRA10DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIRA10DP даташит

 ..1. Size:203K  vishay
sira10dp.pdfpdf_icon

SIRA10DP

New Product SiRA10DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0037 at VGS = 10 V 30g Material categorization 30 15.4 nC For definitions of compliance please see 0.0050 at VGS = 4.5 V 30g www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS

 8.1. Size:418K  vishay
sira10bdp.pdfpdf_icon

SIRA10DP

SiRA10BDP www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8 Single D TrenchFET Gen IV power MOSFET D 8 D 7 100 % Rg and UIS tested D 6 5 Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 2 S APPLICATIONS D 3 S 4 S 1 High power density DC/DC G Top View Bottom View Syn

 9.1. Size:240K  vishay
sira14bdp.pdfpdf_icon

SIRA10DP

SiRA14BDP www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8 Single D TrenchFET Gen IV power MOSFET D 8 D 7 100 % Rg and UIS tested D 6 5 Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 2 S D APPLICATIONS 3 S 4 S 1 High power density DC/DC G Top View Bottom View Syn

 9.2. Size:507K  vishay
sira14dp.pdfpdf_icon

SIRA10DP

New Product SiRA14DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.00510 at VGS = 10 V Material categorization 20 30 9.4 nC For definitions of compliance please see 0.00850 at VGS = 4.5 V 20 www.vishay.com/doc?99912 PowerPAK SO-8

Другие IGBT... SIR882DP, SIR888DP, SIR890DP, SIR892DP, SIRA00DP, SIRA02DP, SIRA04DP, SIRA06DP, RU7088R, SIRA12DP, SIRA14DP, SIRA18DP, APT1001R6BFLLG, APT1001R6SFLLG, APT1001RSVFR, APT1001RSVRG, APT10026L2FLLG