SIRA10DP. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SIRA10DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для SIRA10DP
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SIRA10DP даташит
sira10dp.pdf
New Product SiRA10DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0037 at VGS = 10 V 30g Material categorization 30 15.4 nC For definitions of compliance please see 0.0050 at VGS = 4.5 V 30g www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS
sira10bdp.pdf
SiRA10BDP www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8 Single D TrenchFET Gen IV power MOSFET D 8 D 7 100 % Rg and UIS tested D 6 5 Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 2 S APPLICATIONS D 3 S 4 S 1 High power density DC/DC G Top View Bottom View Syn
sira14bdp.pdf
SiRA14BDP www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8 Single D TrenchFET Gen IV power MOSFET D 8 D 7 100 % Rg and UIS tested D 6 5 Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 2 S D APPLICATIONS 3 S 4 S 1 High power density DC/DC G Top View Bottom View Syn
sira14dp.pdf
New Product SiRA14DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.00510 at VGS = 10 V Material categorization 20 30 9.4 nC For definitions of compliance please see 0.00850 at VGS = 4.5 V 20 www.vishay.com/doc?99912 PowerPAK SO-8
Другие IGBT... SIR882DP, SIR888DP, SIR890DP, SIR892DP, SIRA00DP, SIRA02DP, SIRA04DP, SIRA06DP, RU7088R, SIRA12DP, SIRA14DP, SIRA18DP, APT1001R6BFLLG, APT1001R6SFLLG, APT1001RSVFR, APT1001RSVRG, APT10026L2FLLG
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor | 2sc2705 | bc239 | 2sc3264








