2SK1198 - описание и поиск аналогов

 

2SK1198. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK1198

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.2 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для 2SK1198

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1198 даташит

 ..1. Size:313K  nec
2sk1198.pdfpdf_icon

2SK1198

 8.1. Size:41K  1
2sk1192.pdfpdf_icon

2SK1198

2SK1192 External dimensions 2 ...... FM100 Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics (Ta = 25 C) (Ta = 25 C) Ratings Symbol Ratings Unit Symbol Unit Conditions min typ max V 60 V V 60 V I = 250 A, V = 0V DSS (BR) DSS D GS V 20 V I 500 nA V = 20V GSS GSS GS I 40 A I 250 A V = 60V, V = 0V D DSS DS GS I 160 (Tch 150 C) A V 2.0 4.0 V V = 10V, I = 250 A D

 8.2. Size:249K  hitachi
2sk1199.pdfpdf_icon

2SK1198

 8.3. Size:18K  hitachi
2sk1197.pdfpdf_icon

2SK1198

2SK1197 Silicon N-Channel enhanced MOS FET Application High frequency amplifier Features High endurance capability against static electrical breakdown (C = 200pF) Between Gate from Source 500 V Typ Between Drain from Source 1000 V Min, 1500 V Typ Wide forward transfer admittance yfs = 150 mS Typ High breakdown voltage VDSS = 100V Small output capacitance

Другие MOSFET... 2SK1185 , 2SK1186 , 2SK1187 , 2SK1188 , 2SK1189 , 2SK1190 , 2SK1191 , 2SK1192 , IRLB4132 , 2SK1221 , 2SK1271 , 2SK1272 , 2SK1273 , 2SK1274 , 2SK1282 , 2SK1283 , 2SK1284 .

History: 2SK1289 | HM13N50 | RV1C002UN | AOWF9N70 | HCD90R450 | AP03N40J-HF | AOWF11C60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.