2SK1198 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2SK1198
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.2 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для 2SK1198
2SK1198 Datasheet (PDF)
2sk1192.pdf

2SK1192External dimensions 2 ...... FM100Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics (Ta = 25C) (Ta = 25C)RatingsSymbol Ratings Unit Symbol Unit Conditionsmin typ maxV 60 V V 60 V I = 250A, V = 0VDSS (BR) DSS D GSV 20 V I 500 nA V = 20VGSS GSS GSI 40 A I 250 A V = 60V, V = 0VD DSS DS GSI 160 (Tch 150C) A V 2.0 4.0 V V = 10V, I = 250AD
2sk1197.pdf

2SK1197Silicon N-Channel enhanced MOS FETApplicationHigh frequency amplifierFeatures High endurance capability against static electrical breakdown (C = 200pF) Between Gate from Source : 500 V Typ Between Drain from Source : 1000 V Min, 1500 V Typ Wide forward transfer admittance|yfs| = 150 mS Typ High breakdown voltage VDSS = 100V Small output capacitance
Другие MOSFET... 2SK1185 , 2SK1186 , 2SK1187 , 2SK1188 , 2SK1189 , 2SK1190 , 2SK1191 , 2SK1192 , 5N60 , 2SK1221 , 2SK1271 , 2SK1272 , 2SK1273 , 2SK1274 , 2SK1282 , 2SK1283 , 2SK1284 .
History: SI2305ADS-T1-GE3
History: SI2305ADS-T1-GE3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor