Справочник MOSFET. 2SK1198

 

2SK1198 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK1198
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для 2SK1198

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1198 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:313K  nec
2sk1198.pdfpdf_icon

2SK1198

 8.1. Size:41K  1
2sk1192.pdfpdf_icon

2SK1198

2SK1192External dimensions 2 ...... FM100Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics (Ta = 25C) (Ta = 25C)RatingsSymbol Ratings Unit Symbol Unit Conditionsmin typ maxV 60 V V 60 V I = 250A, V = 0VDSS (BR) DSS D GSV 20 V I 500 nA V = 20VGSS GSS GSI 40 A I 250 A V = 60V, V = 0VD DSS DS GSI 160 (Tch 150C) A V 2.0 4.0 V V = 10V, I = 250AD

 8.2. Size:249K  hitachi
2sk1199.pdfpdf_icon

2SK1198

 8.3. Size:18K  hitachi
2sk1197.pdfpdf_icon

2SK1198

2SK1197Silicon N-Channel enhanced MOS FETApplicationHigh frequency amplifierFeatures High endurance capability against static electrical breakdown (C = 200pF) Between Gate from Source : 500 V Typ Between Drain from Source : 1000 V Min, 1500 V Typ Wide forward transfer admittance|yfs| = 150 mS Typ High breakdown voltage VDSS = 100V Small output capacitance

Другие MOSFET... 2SK1185 , 2SK1186 , 2SK1187 , 2SK1188 , 2SK1189 , 2SK1190 , 2SK1191 , 2SK1192 , 5N60 , 2SK1221 , 2SK1271 , 2SK1272 , 2SK1273 , 2SK1274 , 2SK1282 , 2SK1283 , 2SK1284 .

History: SI2305ADS-T1-GE3

 

 
Back to Top

 


 
.