APT1004RBNR - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: APT1004RBNR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для APT1004RBNR
APT1004RBNR Datasheet (PDF)
apt1004rgn.pdf

DTO-257GAPT1004RGN 1000V 3.3A 4.00STMPOWER MOS IVN - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT1004RGN UNITVDSS Drain-Source Voltage1000 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C3.3AmpsIDM Pulsed Drain Current 113.2VGS Gate-Source Voltage30 VoltsTotal Po
apt1004rcn.pdf

DTO-254GAPT1004RCN 1000V 3.6A 4.00STMPOWER MOS IVN - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT1004RCN UNITVDSS Drain-Source Voltage1000 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C3.6AmpsIDM Pulsed Drain Current 114.4VGS Gate-Source Voltage30 VoltsTotal Po
apt1004r2bn.pdf

DTO-247GAPT1004RBN 1000V 4.4A 4.00SAPT1004R2BN 1000V 4.0A 4.20POWER MOS IVN- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.APT APTSymbol Parameter 1004RBN 1004R2BN UNITVDSS Drain-Source Voltage1000 1000 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C4.4 4.0AmpsIDM Pulsed Drain Current 1
Другие MOSFET... APT1003RSLLG , APT10040B2VFRG , APT10040LVFRG , APT10040LVR , APT10045B2FLLG , APT10045B2LLG , APT10045LFLLG , APT10045LLLG , IRFP250N , APT10050B2VFRG , APT10050LVFRG , APT10078BFLLG , APT10078BLLG , APT10078SFLLG , APT10078SLLG , APT10090BFLLG , APT10090BLLG .
History: SIR836DP | WMM14N65C4 | SI2333DS-T1-GE3 | KF9N50P | STD55N4F5 | MS65R170B
History: SIR836DP | WMM14N65C4 | SI2333DS-T1-GE3 | KF9N50P | STD55N4F5 | MS65R170B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793