APT11N80KC3G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: APT11N80KC3G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 60 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 770 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.45 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для APT11N80KC3G
APT11N80KC3G Datasheet (PDF)
apt11n80kc3g.pdf
APT11N80KC3 800V 11A 0.450Super Junction MOSFET TO-220 Ultra Low RDS(ON) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, Qg GD Avalanche Energy Rated S Extreme dv/dt RatedMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified. Symbol Parameter APT11N80KC3 UNITVDSSDrain-Source Voltage 800 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C1
apt11n80kc3.pdf
APT11N80KC3800V 11A 0.450Super Junction MOSFETTO-220COOLMOSPower Semiconductors Ultra low RDS(ON)GDS Low Miller CapacitanceD Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy RatedG TO-220 PackageSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT11N80KC3 UNITVDSS Drain-Source Voltage800
apt11n80bc3g.pdf
APT11N80BC3800V 11A 0.45Super Junction MOSFETTO-247COOLMOSPower Semiconductors Ultra low RDS(ON) Low Miller CapacitanceD Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy RatedG TO-247 PackageSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT11N80BC3 UNITVDSS Drain-Source Voltage800 VoltsID
apt11n80bc3.pdf
APT11N80BC3800V 11A 0.45Super Junction MOSFETTO-247COOLMOSPower Semiconductors Ultra low RDS(ON) Low Miller CapacitanceD Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy RatedG TO-247 PackageSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT11N80BC3 UNITVDSS Drain-Source Voltage800 VoltsID
apt11n80bc3g.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor APT11N80BC3GFEATURESDrain Current I =11A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.45(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpur
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
