Справочник MOSFET. APT1201R6SVFRG

 

APT1201R6SVFRG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APT1201R6SVFRG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: D3PAK
 

 Аналог (замена) для APT1201R6SVFRG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT1201R6SVFRG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:114K  apt
 apt1201r6bvfrg apt1201r6svfrg.pdf pdf_icon

APT1201R6SVFRG

APT1201R6BVFRAPT1201R6SVFR1200V 8A 1.600BVFR POWER MOS V FREDFETTO-247D3PAKPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

 5.1. Size:62K  apt
 apt1201r6bvr.pdf pdf_icon

APT1201R6SVFRG

APT1201R6BVR1200V 8A 1.600POWER MOS VPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lower

 5.2. Size:113K  apt
 apt1201r6bvfr.pdf pdf_icon

APT1201R6SVFRG

APT1201R6BVFRAPT1201R6SVFR1200V 8A 1.600BVFR POWER MOS V FREDFETTO-247D3PAKPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

 5.3. Size:62K  apt
 apt1201r6.pdf pdf_icon

APT1201R6SVFRG

APT1201R6BVR1200V 8A 1.600POWER MOS VPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lower

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... APT11N80KC3G , APT1201R2BFLLG , APT1201R2SFLLG , APT1201R4BFLL , APT1201R4SFLL , APT1201R5BVFRG , APT1201R5SVFRG , APT1201R6BVFRG , IRF1407 , APT12031JFLL , APT12040JFLL , APT12040L2FLLG , APT12045L2VFRG , APT1204R7BFLLG , APT1204R7KFLLG , APT1204R7SFLLG , APT12057B2FLLG .

History: AP3P6R0S | RJK2017DPP | APT60M80L2VFRG | QM3009S | BSC072N03LDG | SL2308

 

 
Back to Top

 


 
.