APT20M18B2VFRG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT20M18B2VFRG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для APT20M18B2VFRG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT20M18B2VFRG даташит

 ..1. Size:152K  apt
 apt20m18b2vfrg apt20m18lvfrg.pdf pdf_icon

APT20M18B2VFRG

APT20M18B2VFR A20M18LVFR 200V 100A 0.018 B2VFR POWER MOS V FREDFET T-MAX TO-264 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

 1.1. Size:39K  apt
 apt20m18b2vfr.pdf pdf_icon

APT20M18B2VFRG

APT20M18B2VFR APT20M18LVFR 200V 100A 0.018W B2VFR POWER MOS V FREDFET T-MAX Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-264 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. LVFR Identical

 1.2. Size:375K  inchange semiconductor
 apt20m18b2vfr.pdf pdf_icon

APT20M18B2VFRG

isc N-Channel MOSFET Transistor APT20M18B2VFR FEATURES Drain Current I = 100A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =200V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =0.018 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general

 3.1. Size:159K  apt
 apt20m18b2vrg apt20m18lvrg.pdf pdf_icon

APT20M18B2VFRG

APT20M18B2VR A20M18LVR 200V 100A 0.018 B2VR POWER MOS V MOSFET T-MAX TO-264 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. LV

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20M11JFLL, APT20M11JLL, APT20M120JCU2, APT20M120JCU3, APT20M16B2FLLG, APT20M16B2LLG, APT20M16LFLLG, APT20M16LLLG, 10N60, APT20M18B2VRG, APT20M18LVFRG, APT20M18LVRG, APT20M20B2FLLG, APT20M20B2LLG, APT20M20LFLLG, APT20M20LLLG, APT20M34BFLLG