APT20M18B2VRG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APT20M18B2VRG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO-247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APT20M18B2VRG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT20M18B2VRG даташит

 ..1. Size:159K  apt
 apt20m18b2vrg apt20m18lvrg.pdf pdf_icon

APT20M18B2VRG

APT20M18B2VR A20M18LVR 200V 100A 0.018 B2VR POWER MOS V MOSFET T-MAX TO-264 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. LV

 2.1. Size:38K  apt
 apt20m18b2vr.pdf pdf_icon

APT20M18B2VRG

APT20M18B2VR APT20M18LVR 200V 100A 0.018W B2VR POWER MOS V T-MAX Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-264 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. LVR Identical Specificati

 2.2. Size:376K  inchange semiconductor
 apt20m18b2vr.pdf pdf_icon

APT20M18B2VRG

isc N-Channel MOSFET Transistor APT20M18B2VR FEATURES Drain Current I = 100A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =200V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =0.018 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general

 3.1. Size:152K  apt
 apt20m18b2vfrg apt20m18lvfrg.pdf pdf_icon

APT20M18B2VRG

APT20M18B2VFR A20M18LVFR 200V 100A 0.018 B2VFR POWER MOS V FREDFET T-MAX TO-264 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20M11JLL, APT20M120JCU2, APT20M120JCU3, APT20M16B2FLLG, APT20M16B2LLG, APT20M16LFLLG, APT20M16LLLG, APT20M18B2VFRG, AON6414A, APT20M18LVFRG, APT20M18LVRG, APT20M20B2FLLG, APT20M20B2LLG, APT20M20LFLLG, APT20M20LLLG, APT20M34BFLLG, APT20M34BLLG