Справочник MOSFET. APT20M18B2VRG

 

APT20M18B2VRG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: APT20M18B2VRG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 625 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 100 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 330 nC

Время нарастания (tr): 27 ns

Выходная емкость (Cd): 2320 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018 Ohm

Тип корпуса: T-MAX

Аналог (замена) для APT20M18B2VRG

 

 

APT20M18B2VRG Datasheet (PDF)

1.1. apt20m18b2vrg apt20m18lvrg.pdf Size:159K _update_mosfet

APT20M18B2VRG APT20M18B2VRG

APT20M18B2VR A20M18LVR Ω 200V 100A 0.018Ω Ω Ω Ω B2VR POWER MOS V® MOSFET T-MAX™ TO-264 Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. LV

1.2. apt20m18b2vfrg apt20m18lvfrg.pdf Size:152K _update_mosfet

APT20M18B2VRG APT20M18B2VRG

APT20M18B2VFR A20M18LVFR Ω 200V 100A 0.018Ω Ω Ω Ω B2VFR POWER MOS V® FREDFET T-MAX™ TO-264 Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

 1.3. apt20m18b2vr.pdf Size:38K _apt

APT20M18B2VRG APT20M18B2VRG

APT20M18B2VR APT20M18LVR 200V 100A 0.018W B2VR POWER MOS V® T-MAX™ Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-264 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. LVR • Identical Specificati

1.4. apt20m18b2vfr.pdf Size:39K _apt

APT20M18B2VRG APT20M18B2VRG

APT20M18B2VFR APT20M18LVFR 200V 100A 0.018W B2VFR POWER MOS V® FREDFET T-MAX™ Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-264 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. LVFR • Identical

Другие MOSFET... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top