APT21M100J. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT21M100J

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 462 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: SOT-227

Аналог (замена) для APT21M100J

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT21M100J даташит

 ..1. Size:102K  microsemi
 apt21m100j.pdf pdf_icon

APT21M100J

APT21M100J 1000V, 21A, 0.38 Max N-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci- tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon

Другие IGBT... APT20M34BFLLG, APT20M34BLLG, APT20M34SFLLG, APT20M34SLLG, APT20M36BFLLG, APT20M36SFLLG, APT20M38SVFRG, APT20M40HVR, IRLB4132, APT22F100J, APT22F120B2, APT22F120L, APT22F80B, APT22F80S, APT22M100JCU2, APT22M100JCU3, APT23F60B