Справочник MOSFET. APT21M100J

 

APT21M100J Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APT21M100J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 462 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: SOT-227
 

 Аналог (замена) для APT21M100J

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT21M100J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:102K  microsemi
 apt21m100j.pdf pdf_icon

APT21M100J

APT21M100J 1000V, 21A, 0.38 MaxN-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon

Другие MOSFET... APT20M34BFLLG , APT20M34BLLG , APT20M34SFLLG , APT20M34SLLG , APT20M36BFLLG , APT20M36SFLLG , APT20M38SVFRG , APT20M40HVR , 5N60 , APT22F100J , APT22F120B2 , APT22F120L , APT22F80B , APT22F80S , APT22M100JCU2 , APT22M100JCU3 , APT23F60B .

History: SSM3K16FV | IPW60R070C6 | TPW60R090MFD | 2SJ119

 

 
Back to Top

 


 
.