APT29F100B2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT29F100B2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1040 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 715 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для APT29F100B2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT29F100B2 даташит

 ..1. Size:212K  microsemi
 apt29f100b2 apt29f100l.pdf pdf_icon

APT29F100B2

APT29F100B2 APT29F100L 1000V, 30A, 0.44 Max, trr 270ns N-Channel FREDFET T-Ma xTM TO-264 Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced trr, soft recovery, and high recovery dv/dt

 8.1. Size:182K  microsemi
 apt29f80j.pdf pdf_icon

APT29F100B2

APT29F80J 800V, 29A, 0.21 Max, trr 370ns N-Channel FREDFET POWER MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced trr, soft recovery, and high recovery dv/dt capability. Low gate "UL Recogni

Другие IGBT... APT26F120B2, APT26F120L, APT26M100JCU2, APT26M100JCU3, APT28F60B, APT28F60S, APT28M120B2, APT28M120L, IRFP250, APT29F100L, APT29F80J, APT30F50B, APT30F50S, APT30F60J, APT30M17JFLL, APT30M30B2FLLG, APT30M30B2LLG