APT29F100B2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: APT29F100B2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1040 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1000 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 260 nC
Время нарастания (tr): 35 ns
Выходная емкость (Cd): 715 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.44 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для APT29F100B2
APT29F100B2 Datasheet (PDF)
apt29f100b2 apt29f100l.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
APT29F100B2 APT29F100L 1000V, 30A, 0.44 Max, trr 270nsN-Channel FREDFET T-Ma xTMTO-264Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced trr, soft recovery, and high recovery dv/dt
apt29f80j.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
APT29F80J 800V, 29A, 0.21 Max, trr 370nsN-Channel FREDFET POWER MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced trr, soft recovery, and high recovery dv/dt capability. Low gate "UL Recogni
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .