Справочник MOSFET. APT32F120J

 

APT32F120J MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: APT32F120J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 960 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1200 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 33 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 560 nC
   Время нарастания (tr): 60 ns
   Выходная емкость (Cd): 1340 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.32 Ohm
   Тип корпуса: SOT-227

 Аналог (замена) для APT32F120J

 

 

APT32F120J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  microsemi
apt32f120j.pdf

APT32F120J
APT32F120J

APT32F120J 1200V, 33A, 0.32 Max, trr 430nsN-Channel FREDFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced trr, soft recovery, and high recovery dv/dt capability. Low gate charge, hi

 9.1. Size:83K  apt
apt32gu30b.pdf

APT32F120J
APT32F120J

APT32GU30B300V POWER MOS 7 IGBTTO-247The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency,high voltage switching applications and has been optimized for high frequencyswitchmode power supplies. GCE Low Conduction Loss SSOA ratedC Low Gate ChargeG Ultrafast Tai

 9.2. Size:180K  microsemi
apt32m80j.pdf

APT32F120J
APT32F120J

APT32M80J 800V, 33A, 0.19 MaxN-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. A proprietary planar strip design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon gat

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top