APT39M60J. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT39M60J

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1040 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: SOT-227

Аналог (замена) для APT39M60J

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT39M60J даташит

 ..1. Size:127K  microsemi
 apt39m60j.pdf pdf_icon

APT39M60J

APT39M60J 600V, 42A, 0.11 Max N-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci- tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon ga

 9.1. Size:214K  microsemi
 apt39f60j.pdf pdf_icon

APT39M60J

APT39F60J 600V, 42A, 0.11 Max trr 290ns N-Channel FREDFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced trr, soft recovery, and high recovery dv/dt capability. Low gate charge, high

Другие IGBT... APT37M100L, APT38F50J, APT38F80B2, APT38F80L, APT38M50J, APT38N60BC6, APT38N60SC6, APT39F60J, IRFB4227, APT4012BVFRG, APT4012SVFRG, APT4014BVFRG, APT4014SVFRG, APT4016BVFRG, APT4016SVFRG, APT4018BN, APT4020BVFRG