Справочник MOSFET. APT39M60J

 

APT39M60J Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APT39M60J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1040 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: SOT-227
 

 Аналог (замена) для APT39M60J

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT39M60J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  microsemi
 apt39m60j.pdf pdf_icon

APT39M60J

APT39M60J 600V, 42A, 0.11 MaxN-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon ga

 9.1. Size:214K  microsemi
 apt39f60j.pdf pdf_icon

APT39M60J

APT39F60J 600V, 42A, 0.11 Max trr 290nsN-Channel FREDFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced trr, soft recovery, and high recovery dv/dt capability. Low gate charge, high

Другие MOSFET... APT37M100L , APT38F50J , APT38F80B2 , APT38F80L , APT38M50J , APT38N60BC6 , APT38N60SC6 , APT39F60J , AON6414A , APT4012BVFRG , APT4012SVFRG , APT4014BVFRG , APT4014SVFRG , APT4016BVFRG , APT4016SVFRG , APT4018BN , APT4020BVFRG .

History: MTP4835AQ8 | IPS075N03LG

 

 
Back to Top

 


 
.